Samsung produit de la mémoire Flash à 50 nm

Samsung vient d’annoncer la mise en production des premières puces mémoire Flash Nand gravées avec une finesse de 50 nm. Ces puces de haute densité (16 Gb), utilisent un design de cellules multi-niveaux avec des pages de 4 Ko améliorant la vitesse de lecture et d’écriture. Comparée à la mémoire Flash Nand utilisant une pagination de 2 Ko, cette pagination de 4 Ko double la vitesse de lecture tout en offrant un gain de 150 % en écriture, lors de l’accès à des fichiers de grande taille.

Samsung qui lancera la production de masse dans le courant du premier trimestre 2007, estime que la disponibilité de mémoire Flash Nand de 16 Gb et plus accélérera l’adoption d’applications mémoire non-volatile telle que les disques SSD (Solid State Disk). En mars dernier, Samsung a lancé son premier disque dur à mémoire Flash d’une capacité de 32 Go. Selon une récente étude de la firme In-Stat, les parts de marché des disques SSD pourraient atteindre 50 % d’ici 2013, sur le segment des ordinateurs portables.