2 Gb de DDR3 en 30 nm chez Samsung
Samsung vient d’annoncer avoir mis au point une puce de mémoire DDR3 gravée en 30 nm et atteignant une densité de 2 Gb. Selon le constructeur coréen, le passage à une finesse de gravure de 30 nm améliore la productivité de 60 % par rapport à une gravure en 40 nm. Cette nouvelle puce de 2 Gb consomme également 30% d’énergie en moins qu’une puce de mémoire DDR3 équivalente gravée en 50 nm.
Destinée aux ordinateurs de bureau, aux notebooks, aux serveurs et aux appareils mobiles, cette puce de 2 Gb de mémoire DDR3 devrait être produite en masse à partir du second semestre 2010.
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"améliore la productivité"
C'est quoi la productivité ?
En gros c'est le rendement, ça veut dire que l'on a 60% de puce en plus sur la même période temps