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De la mémoire Flash NAND à 70 nm

par - source: TG Daily

La course à la finesse de gravure ne se joue pas uniquement sur le terrain des processeurs et cartes graphiques, loin de là. Samsung vient d’annoncer qu’il pouvait aujourd’hui graver ses modules de mémoire Flash OneNAND en 70 nm.

Selon le constructeur cette augmentation de la finesse améliorerait la productivité des usines de 70% en raison de yield plus grands et d’un plus grand nombre de puces par wafer, ce qui devrait aussi permettre de baisser les coûts de production. Ces nouvelles mémoires disposeraient d’un débit de 108 Mo/s en lecture contre 9,3 Mo/s pour les mémoires gravées en 90 nm.

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Daiyam 04/04/2006 11:41
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108 Mo/s au lieu de 9,3 Mo/s ouha!!

Wilfried2828 04/04/2006 11:42
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Sa va etre pour remplacer les disques dur mécanique sa :D

leboulet 04/04/2006 11:47
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il ya une petite coquille dans la news :)

9.3 mo c'est la vitesse d'ecriture sur les 2 types de gravure par contre la vitesse de lecture est bien de 108 mo/s sur les 70nm mais de 68 mo/s sur les 90nm

gamin_ 04/04/2006 14:18
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question con
skoi la difference entre la flash nor et la flash nand?

chr$ 04/04/2006 15:24
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A quand des SD-133X-16Go à 100€ ?

Lilion 04/04/2006 17:11
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C'est toujours la meme photo depuis 1an é demi ?? ^^

wrongillusion 04/04/2006 19:01
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hum trop bon baisse de prix... allez les autres constructeurs c'est à vous d'innover aussi

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