Samsung : de la PRAM en 65 nm dès 2009
Alors que les premiers prototypes de puces de mémoire PRAM (Phase change RAM) de 256 Mo sont sortis des laboratoires de Samsung en 2005, le constructeur devrait, au cours du premier semestre 2009, lancer la production de masse de puces de 512 Mo de mémoire PRAM gravées en 65 nm.
Plus rapide, plus résistante
Ce type de mémoire non volatile utilise la propriété que possèdent certains matériaux – du verre chalcogénure ternaire (GeSbTe) dans le cas de la PRAM - à basculer rapidement entre une forme cristalline et une forme amorphe sous l’effet de la chaleur. Cumulant les avantages des mémoires flash NAND et NOR, la mémoire PRAM pourrait donc à terme remplacer l’actuelle mémoire flash.
Il est ainsi possible de réécrire une donnée sans avoir besoin d’effacer celle précédemment stockée, contrairement à la mémoire flash. Cela rend la mémoire PRAM bien plus rapide que la mémoire flash actuelle, tout en affichant une durée de vie 10 fois plus longue (plus de 100 millions de cycles de lecture-écriture).
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Idéal pour les SSD?
Qu'en est-il de la densité de donnée? 512Mo sur une puce (en 65nm de surcroit) c'est peu comparer au puce Flash de plusieurs Go.
Un SSD fait avec ces composants ça dépoterait (si les prix sont accessibles). A priori le contrôleur devrait être nettement plus simple.
Bluffant si ça fonctionne
Merci pour l'explication du mode de fosntruionnement