Samsung lance des modules de DDR SDRAM de 8 Go

Le géant coréen Samsung Electronics vient de lancer sur le marché des modules de 8 Go de DDR SDRAM.
Ces barettes sont basées sur des puces d'1 Gbit de DDR SDRAM PC 2100 (266 MHz DDR, 133 MHz réels) fabriquées grâce à un procédé 100nm (0.10µ).

Deux versions différentes de ces modules sont disponibles.

La première où les puces utilisent un package au format TSOP et sont assemblées en "dual-stack" sur les PCB. Sur ces modules, il n'y a pas moins de 36 puces au format TSOP alignées en deux rangés parallèles de neuf puces sur chaque face du PCB (voir la barette de droite sur la photo ci-dessous).



La deuxième version où les puces sont au format FPGA et sont "quad-stacked", c'est-à-dire que chaque puce est "empilée" sur une autre qui se trouve ainsi prise en sandwich entre le PCB et l'autre puce. Ces barettes intègrent 18 puces sur une seule rangé par face (voir la barette de gauche sur la photo ci-dessus).

Le FBGA (Fine-Pitch Ball-Grid Array) est également utilisé en tant que standard du JEDEC pour les modules de DDR2 ce qui permet à Samsung Electronics de mieux rentabiliser ses investissements en R&D (Recherche et Développement) sur les puces utilisant ce package.

Les barettes de DDR SDRAM de 8 Go Samsung sont déjà disponibles pour les fabricants et assembleurs de serveurs, toutefois seulement en petites quantités pour l'instant.

Ces derniers-nés de Samsung Electronics sont des modules très haut de gamme sont bien évidemment destinés au marché des serveurs, stations de travails et systèmes spécialisés les plus avides en capacité de mémoire vive.
Selon IDC (premier groupe mondial d'agences de conseil et d'étude sur les marchés des technologies de l'information), ce marché permettra une augmentation sensible de celui des puces d'1 Gbit de DDR SDRAM dans les années qui viennent pour atteindre approximativement les 9.5 millions de dollars US en 2007.