Ah la fiabilité de la mémoire Flash ! Elle est à l’origine de bien des craintes. La technologie étant trop récente pour que l’on ait pu réalisé des tests sur le long terme, on en est réduit soit à croire les estimations des fabricants, soit à douter et à craindre pour ses données. C’est évidemment un point qui freine l’adoption de la mémoire Flash sur des machines critiques, telles que des serveurs. Samsung et Sun ont donc travaillé plusieurs mois ensemble et ont annoncé il y a quelques jours la mise au point d’un nouveau type de Flash NAND SLC, “ultra-résistante”.

Chaque cellule de cette mémoire serait capable de supporter cinq fois plus de cycles d’écriture/effacement que des cellules classiques. On n’en sait pas plus sur les différences techniques qui ont amené cet accroissement spectaculaire. On est en tout cas encore loin des performances de la Fe-NAND, inventée par des chercheurs de l’université de Tokyo et qui pourrait durer plusieurs centaines d’année. Sun en tant que partenaire va bien sûr utiliser cette nouvelle mémoire SLC dans ses propres serveurs. Aucune date de mise sur le marché n’a été évoquée.