Toshiba, SanDisk et le 20 nm en 2010

Toshiba et SanDisk estiment pouvoir commencer à produire des mémoires Flash gravées à moins de 30 nm, au cours du deuxième semestre de cette année.

Concurrence acharnée

C’est ce que rapporte DigiTimes qui tiendrait cette information de plusieurs sources qui affirment que l’usine gérée par les deux entreprises va passer à 200 000 wafers par mois.

La concurrence est rude sur ce marché alors qu’Intel et Micron ont annoncé qu’ils produiraient leurs NAND gravées à moins de 30 nm d’ici la fin de l’année. Intel fut le premier à sortir un SSD utilisant des NAND gravées à 34 nm (cf. « Intel et les 1er SSD avec des NAND 34 nm ») et Samsung a mis à jour ses usines pour pouvoir répondre à la hausse de la demande engendrée par ces supports de stockage.

Finesse de gravure très attendue

Beaucoup attendent ces finesses de gravure avec impatience, estimant qu’une fois que les NAND utiliseront des finesses de gravures plus importantes que 30 nm, les coûts de production seront suffisamment bas pour devancer les disques durs (cf. « Les SSD ne vaincront pas en 2010 ? ») .