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TSMC repousse l’utilisation de transistors high-k

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Mardi 30 septembre 2008 à 07:00 par David Civera

Wafer TSMCTSMC a annoncé qu’il utiliserait des transistors high-k et des grilles métalliques lorsqu’il passera à une finesse de gravure en 28 nm et pas avant.

Stratégie TSMC

Pour rappel, les transistors disposant d’une diélectrique high-k (forte constante diélectrique, autrement dit, qui réagit fortement à un champ électrique) offrent une meilleure isolation, réduisant ainsi les courants de fuite.

Alors que TSMC parlait d’utiliser ces transistors lorsqu’il passerait au 32 nm, il vient d’annoncer que le 32 nm ne serait qu’une mise à jour du 40 nm et que le 28 nm serait une réelle nouveauté. Le fondeur proposera deux options : faible consommation ou puissance élevée. On ne sait pas néanmoins quelles sont les différences exactes entre les deux.

Attention danger

TSMC prend donc un risque alors qu’il s’inflige un retard certain par rapport à ses concurrents. Intel utilise déjà de tels transistors depuis qu’il grave en 45 nm (cf. « Intel QX9650 : la révolution Penryn ? »), et IBM prévoit de les utiliser lorsqu’il gravera en 32 nm (cf. « IBM 32 nm et grille High-K »).

Source : Fudzilla

Commentaires
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cyrano 30/09/2008 10:56
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-0+

"faible consommation ou puissance élevée"

Sur HCMOS8 de ST (.18um), il utilisait 2 type de transistors (high Vt et Low Vt) en gros, l'un est 20% plus rapide mais consomme 2x plus.

David Civera 30/09/2008 16:19
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--1+

Merci pour l'info :) je pense que ca doit donc être quelque chose du même genre...

Caabale 30/09/2008 17:47
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-1+

cyrano :
"faible consommation ou puissance élevée"Sur HCMOS8 de ST (.18um), il utilisait 2 type de transistors (high Vt et Low Vt) en gros, l'un est 20% plus rapide mais consomme 2x plus.




TSMC propose deja ca sur des technos 45nm. C'est pas relie au high-k ni au grilles metalliques, mais aux concentrations de dopant.

Citation :forte constante diélectrique, autrement dit, qui réagit fortement à un champ électrique)


Ca veut pas dire grand-chose, ca :heink: l'utilisation de dielectrique high-k va permettre de reduire l'effet tunnel et donc les courants de fuite, au depens de la capacite de grille qui va augmenter.

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