Toshiba : de la FeRAM à 1,6 Go/s !
Toshiba devrait profiter de l'ISSCC 2009 qui se tient cette semaine à San Francisco pour présenter un nouveau prototype de FeRAM (Ferroelectric RAM), un type de mémoire non volatile qui pourrait très bien remplacer à terme les mémoires flashs actuelles des clés USB et autres SSD.
Le meilleur de la flash et de la DDR ?
La FeRAM affiche une consommation plus faible que la mémoire flash, mais également des performances et une durée de vie bien supérieures. En revanche, la densité de ce type de mémoire est largement inférieure à celle de la mémoire flash. Ainsi, si certains SSD utilisent des puces de 4 Go (32 Gbits), le prototype de puce annoncé par Toshiba atteint péniblement les 128 Mbits (16 Mo), ce qui représente pourtant le record en la matière.
Gravée en 130 nm et fonctionnant avec une tension de 1,8 V, cette puce affiche un temps d'accès de 43 ns et des cycles de 83 ns, pour une bande passante pouvant atteindre 1,6 Go/s en lecture et en écriture sur une interface DDR2. Une belle avancée donc, hélas l'arrivée sur le marché de ce type de mémoire n'est pas prévue pour demain...
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affiche un temps d'accès de 43 nm et des cycles de 83 ns : y pas une erreur ??
L'erreur est sur le 43 nm
bizarre que la finesse soit du 0.13 micro car j'avais tendance à penser que la mémoire utilisait de la technologie plus fine que les cpu.
Toujours est-il que cela laisse de la marge par rapport à ce qui se fait actuellement, tant au niveau de la conso que de la capacité
Et que cette marge promet beaucoup
bizarre que la finesse soit du 0.13 micro car j'avais tendance à penser que la mémoire utilisait de la technologie plus fine que les cpu.
Le but est de faire développer cette technologie et de la maitriser au mieux. Il est inutile pour eux qu'ils complique le processus de fabrication à cause d'un procédé de fabrication pointu, mieux vaut utiliser un procédé bien maitrisé, comme les 130nm.
Toujours est-il que cela laisse de la marge par rapport à ce qui se fait actuellement, tant au niveau de la conso que de la capacité
Même en 45nm, on ne dépasserait pas les 256Mo environs.