Non, eh, faut pas déconner, j'en veux dans les PowerBooks !

Euh, il ont réussi à faire mieux que le silicium pour des transistors CMOS ? O_O

Et quid du coût de l'alliage ? Parce que le silicium en soi, c'est pas ce qui coûte le plus cher au monde... En tous cas le bond technologique de ces dernières années est impressionant. Bye-bye silicium ! Tout une époque...

Je ne comprends pas : c'est pour demain ou dans 7 ans ?

silicium je t'aimeeeeeeeeeeeee

bonjour ,

je comprends pas le titre . Pourquoi la fin du silicium ?
je crois que l'indium (III) et l 'Antimoine (V) sont utilisés pour doper le silicium . Voulez vous dire que le silicium materiaux de base des transistors sera integralement remplacé par un composé à base d Indium et Antimoine ou est ce que vous voulez dire que les transistors des procs intel utiliseront désormais du silicium dopé à In et Sb ?

Quand on pense que ce n'est que du sable ...

Bah, oui, ca fait longtemps qu'il y a mieux. L'aseniure de gallium, par exemple (AsGa) est utilise depuis longtemps dans les puces RF, parce que les transistors AsGa ont une frequence de coupure + elevee. Le probleme est que si l'on voulait remplacer toutes les puces du monde par des puces AsGa, il n'y aurait pas assez d'Arsenic sur la Terre...




Il s'agit compose comme celui que j'ai indique plus haut, le substrat silicium serait effectivement remplace par de l'antimonure d'indium (pas sur du nom )




C'est pour ca que c'est pas cher : on en trouve partout. Avec l'InSb, je suis pas sur

Caabale> Erf. J'ai bien précisé transistor _CMOS_ on ne sait faire que du bipolair avec de l'AsGa. Un bipolaire consomme bien plus de courant qu'un CMOS.

J'avais vu une courbe d'un transistor CMOS sur du InSb, c'est à plusieurs dizaine dB de ce qui se faisait sur Silicium (genre 20 contre 60) pour le bloquage de courant.

Le problème concerne l'état surface entre le bulk et l'isolant. Avec du Si², c'est facile, tu fais baigner le tout dans de l'oxygène et tu as une superbe couche de SiO. Dans le cas d'un autre matérieux, tu déposes autre chose par dessus. Or, il y a toujours des imperfections qui te piègent tes charges et te bousille tes rendements.

C'est bien connu.

salut,

je suis d'accord avec cabaale, l'AsGa à une fréquence d'utilisation plus rapide, mais le SiGe suffit à cela.
L'AsGa au surtout une mobilité des porteur très bonne à moindre énergie électrique, et qui dit moins de puissance dit moin de plasse ( ex: nokia 3310 en Si , les nouveaux téléphone sont en AsGa)

l'AsGa est mieu que le InP (arséniure d'indium) car son gap est plus petit.
de plus le GaAs est a gap direct, ce qui lui permet d'émettre ds le visible, sans AsGa pas de fibre optique.

pour répondre à pink floyd, le Si est le dopant du AsGa

pour ce qui s'agit de faire que du bipolaire en AsGa, c'est totalement faut, car l'hétérojonction AsGa créer un puit quentique qui permet d'augmenté le Gain intrinséque du cmos

Y'a pas de techno CMOS sur AsGa.

Il n'est pas possible d'être assez propre à l'interface AsGa/Isolant pour que cela marche correctement.

Il me semble que les porteurs son encore plus rapide dans l'InP que avec l'AsGa.

oui, c vrai INP plus rapide que l'AsGa
mais attention: µ(InP) = 2.10E7 pour un énergie elctrique 10E4 V/cm
or µ(AsGa)=1,9.10E7 pour une énergie 2.10E3 v/cm.
l'AsGa est donc plus intéressant pour le compromis précédent.

et pui l'hétérojonction pseudomorphique AlGaAs/InGaAs/GaAs est utilisé pour les HEMT (famille du MOS) car nature à faible cout et peut dispersive.

(voir les étude faite en terme d'alliage III-V submicronique pour les technologie à effet de champs)

pour cyriano:

pour ce qui est des charges piégées dont tu parlé ( ds oxyde). il est vrai que c un vrai problème pour les CMOS, car movaise compléméntarité du au passage en déplétion du nmon et en accumulation du pmos.
mais la technique cvd à souvent posé ce problème ( qui ne pose pas de problème pour les bjt en passant).
( mais d'après se que j'ai entendu, je croi que cela peut être compensé en utilisant le body effect)
il est évident, pour une techno CMOS-bulk, ceci ne fonctionn pas en CMOS-SOI