Elpidia vient d’annoncer un partenariat avec le fondeur UMC destiné à produire des puces DRAM et PRAM. 

La réciprocité du partenariat

Le partenariat semble judicieux pour les deux sociétés. De son côté, Elpidia achète la licence d’UMC pour l’utilisation de sa technologie copper/low-k. Cette technologie permet l’utilisation de cuivre et de matériaux à faible diélectrique au sein d’un die. L’objectif est d’accroître les performances d’un semi-conducteur tout en réduisant sa consommation.

De l’autre côté, UMC achètera une licence pour pouvoir utiliser la mémoire d’Elpidia dans d’autres produits qu’il fabrique et les deux sociétés collaboreront sur le développement et la production de PRAM. Le but est de combiner le savoir-faire d’Elpidia sur l’utilisation de GST (l’alliage métalloïde utilisé dans les PRAM composé de germanium, d’antimoine et de tellure) et l’expertise d’UMC en tant que fondeur. Selon les deux sociétés, ce partenariat devrait accélérer la commercialisation de la PRAM.

La PRAM reste populaire

Les sociétés ont néanmoins intérêt à se dépêcher alors qu’Intel, Samsung et Hynix planifient aussi de commercialiser ce genre de mémoire dès 2008 selon le dernier (cf. « La mémoire à changement de phase arrive chez Hynix »).

Le futur remplaçant de la mémoire Flash ?

Pour rappel, PRAM (Phase-change RAM), se nomme aussi PCM ou Chalcogenide RAM [C-RAM]). On parle aussi d’Ovonic Unified Memory en raison du chercheur qui a initialement œuvré pour cette technologie, Standford Ovshinsky. Il travaillait pour Energy Conversion Devices qui donna naissance à Ovonix, la firme crée spécialement pour la conception de la PRAM.

Cette mémoire utilise les propriétés du verre chalcogènide qui passe de l’état cristallin à un état amorphe en fonction de la chaleur. Lorsqu’il est amorphe, le verre chalcogènide possède une très grande résistance électrique et représente la valeur 1 en langage binaire. L’état cristallin est l’exact opposé et représente la valeur 0. Pour connaître l’état de chaque bit, un courant très faible et n’occasionnant que très peu de pertes énergétiques est envoyé pour différencier les résistances.

Cette mémoire gère 100 millions de cycles de lecture-écriture et peut conserver des données pendant plus 10 ans. On parle d’une mémoire 1 000 fois plus rapide que de la mémoire Flash (cf. « Une PRAM 1000 fois plus rapide que de la mémoire Flash »).