AMD réaffirme son intérêt pour la Z-RAM

Innovative Silicon (ISi), la société a l’origine de la Z-RAM, vient d’annoncer avoir mis au point une seconde génération de ses puces.

Un Z qui veut dire Cendrillon

Rappelons brièvement que la Z-RAM est une des nombreuses candidates prétendant à remplacer les actuelles DRAM et SRAM. Par rapport à celles-ci elle ne nécessite plus de condensateurs, d’où un fort gain de place. Le stockage des données utilise l’effet des corps flottants, ou effet Cendrillon. Nous nous permettons de vous renvoyer à notre récent dossier d’actualité sur les mémoires du futur pour de plus amples détails techniques.

Plus dense, plus rapide, plus économe

La Z-RAM gen 2 représente une nette amélioration par rapport à la gen 1 tant en termes de densité de stockage, que de rapidité. La Z-RAM gen 2 est de 5 à 6 fois plus dense que la SRAM et entre 1,4 et 2 fois plus dense que la DRAM (environ 5Mbits/mm² en gravure 65 nm). Par rapport à la Z-RAM gen 1, la vitesse de transfert de données est multipliée par deux. La fréquence maximale de fonctionnement est de 400 MHz. De plus, la consommation en lecture est diminuée de 75 % et la consommation en écriture de 90 %.

AMD dans les starting-blocks

Et ce n’est pas tout : la Z-RAM peut être très facilement fabriquée avec les mêmes procédés que les mémoires actuelles. Des échantillons sont d’ailleurs en production dans certaines usines, avec des finesses de gravure de 65 nm ou même 45 nm. Il ne s’agit donc plus d’une technologie exotique et futuristes, mais bien de l’avenir proche des semi-conducteurs. AMD a d’ailleurs réaffirmé son intérêt pour la Z-RAM gen 2 en achetant une licence à ISi, comme il l’avait fait en début d’année pour la Z-RAM gen 1. Les gains de place autorisés par la Z-RAM sont en effet très alléchants pour les fondeurs, à l’heure où les micro-processeurs utilisent toujours plus de mémoire cache.

• Consulter notre dossier d’actualité « Retour sur le futur des mémoires »