Le japonais Elpida vient d’annoncer avoir fabriqué « la plus petite puce de 4 Gb de mémoire DDR3 au monde ».
Pour cela, le fondeur a utilisé une finesse de gravure de 25 nm, permettant au passage à sa nouvelle puce de consommer 25 à 30% de moins en opération, et 30 à 50% de moins au repos, qu’une puce de mémoire similaire gravée en 30 nm. Le passage à une finesse de gravure de 25 nm permet également une amélioration de la productivité de 45%. Elpida indique que sa nouvelle puce de 4 Gb de mémoire DDR3, fonctionnant à une fréquence de 1866 MHz et avec une tension de 1,35V ou 1,5V, devrait être produite en masse d’ici la fin de l’année.
source: http://www.macgeneration.com/news/voir/183112/la-ddr3-chute-la-ddr4-s-echauffe
Peut-être parceque même une fois la DDR4 sortie, la majoritée des PC seront encore en DDR3?
Peut-être parce que plus c'est gravé fin, plus la puce est petite?
Peut-être que plus la puce est petite, plus on en met sur un waffer?
Peut-être que plus on en met sur un waffer, moins ça coûte cher à fabriquer?
Peut-être que tu as mal compris comment fonctionne la manufacture de chip?
Alors, je vais répondre autrement ... "PARCE QUE !!!"
Peut-être parceque même une fois la DDR4 sortie, la majoritée des PC seront encore en DDR3?
Peut-être parce que plus c'est gravé fin, plus la puce est petite?
Peut-être que plus la puce est petite, plus on en met sur un waffer?
Peut-être que plus on en met sur un waffer, moins ça coûte cher à fabriquer?
Peut-être que tu as mal compris comment fonctionne la manufacture de chip?
Peut-être que l'ont dois vivre avec son temps
Peut-être que l'on à déjà développer des puces en 20 nm chez Samsung http://www.pcinpact.com/actu/news/65929-samsung-ddr3-20...
Peut-être que tu ne le savais pas non plus...
Peut-être que le wafer c'est pour la fabrication de micro-structures de la puce, je ne vois pas ou on pourrait en mettre plus sur celle-ci, alors pourquoi la graver en 25 nm (d'épaisseur) justement pour en avoir moins dans le chips.
Peut-être que wafer s’écrit avec un seul (f) aussi mais pas 2
Gravure plus fine -> die plus petit -> plus de dies par wafer.
Peut-être que l'on à déjà développer des puces en 20 nm chez Samsung http://www.pcinpact.com/actu/news/65929-samsung-ddr3-20... /> Peut-être que tu ne le savais pas non plus...
Samsung parle de "20nm-class", et pas de 20 nm...
Désolé
Gravure plus fine -> die plus petit -> plus de dies par wafer.
En utilisant la technologie des procédés ultra-fine de la 4-gigabit SDRAM DDR3 devient une puce plus économes en énergie et réalise une plus grande productivité. (En tant que produit 4 gigabits, sa densité est le double de celui de SDRAM Elpida DDR3 2 gigabits basées sur le nœud et même processus). Le nouveau 4-gigabit DRAM améliore la productivité d'environ 45% par rapport à Elpida 30nm SDRAM DDR3 4 gigabits. Par rapport à cette même DDR3 30nm, il réduit en cours de fonctionnement d'environ 25-30% et un courant de veille d'environ 30-50%. Il a également réalisé le plus élevé de l'industrie le taux de transfert rapide des données. Wafer ont pour le moment un diamètre de 300mm et la puce de 4giga a la même mesure que la 2giga, donc oui la plus petit puce de 4 giga pour le moment. nul part ont parle de plus de die sur un wafer de 300mm. ni du prix de reviens pour le consommateurs.
Peut-être que l'on à déjà développer des puces en 20 nm chez Samsung http://www.pcinpact.com/actu/news/65929-samsung-ddr3-20... /> Peut-être que tu ne le savais pas non plus...
Samsung parle de "20nm-class", et pas de 20 nm...
Les premières puces sorties des chaînes ont une densité de 256 Mo, mais le fabricant annonce qu'il doublera ce chiffre dès la fin de l'année, soit des puces de 512 Mo. Nous devrions donc retrouver des barrettes de 4, 8, 16 ou 32 Go dès le début de l'année prochaine.
Il annonce aussi que cette nouvelle finesse de gravure de 20 nm permet une baisse de la consommation de l'ordre de 40 % par rapport à des modèles en 30 nm. Un point qu'il faudra attendre de vérifier.
Cela pourrait être particulièrement intéressant dans deux domaines que sont les appareils portables (ordinateur, smartphones, etc.) mais aussi du côté des serveurs où les quantités nécessaires explosent, la consommation avec.
Il faudra aussi voir quelle est l'incidence sur le prix de la mémoire vive qui est au plus bas depuis quelques mois maintenant. Ces nouveautés seront-elles une manière de retrouver des marges plus confortables ?
je ne vois pas ou l'on parle de 20 nm-class dans le texte!..
voici les Caractéristiques principales de la Nouvelle SDRAM DDR3 25nm en question.
Les références : EDJ4104BCBG / EDJ4108BCBG
Le processus de fabrication : 25nm CMOS
La densité de la mémoire : 4 gigabits
Largeur des données : x4-bit / x8-bit
Par broche taux de transfert de données :1866Mbps et plus
Tension d'alimentation (VDD) : 1.5V, 1.35V (basse tension)
Plage de température du boîtier (TC) : 0 à 95 ° C
La puce de 4 gigabits a la même taille que la puce de 2 gigabits.
En tant que produit 4 gigabits, sa densité est le double de celui de la SDRAM Elpida DDR3 2 gigabits basées sur le même nœud et même processus que le 2 gigabits. Oui la puce de 4 gigabits la plus petite au monde vue comme-ça.
voici les Caractéristiques principales de la Nouvelle SDRAM DDR3 25nm en question.
Les références : EDJ4104BCBG / EDJ4108BCBG
Le processus de fabrication : 25nm CMOS
La densité de la mémoire : 4 gigabits
CQFD.
Edit : je viens de réaliser : "20nm-class", c'était peut-être pas explicite pour toi. En fait, "20nm-class", ça veut plus ou moins dire "entre 20 et 29 nm".
voici les Caractéristiques principales de la Nouvelle SDRAM DDR3 25nm en question.
Les références : EDJ4104BCBG / EDJ4108BCBG
Le processus de fabrication : 25nm CMOS
La densité de la mémoire : 4 gigabits
CQFD.
Edit : je viens de réaliser : "20nm-class", c'était peut-être pas explicite pour toi. En fait, "20nm-class", ça veut plus ou moins dire "entre 20 et 29 nm".
Les références qui sont donner au-dessus sont les références de la puce Elpida en 25 nm CMOS la carte de ton new, non celle de Sansumg en 20 nm.
voici les différents puces par samsung( class ne veut pas dire entre 20nm et 29nm comme pcword le dit... le seul site qui en parle ) c'est samsung qui appelle c'est puce comme sa d’après se que j'ai vue.
voici les Caractéristiques principales de la Nouvelle SDRAM DDR3 25nm en question.
Les références : EDJ4104BCBG / EDJ4108BCBG
Le processus de fabrication : 25nm CMOS
La densité de la mémoire : 4 gigabits
CQFD.
Edit : je viens de réaliser : "20nm-class", c'était peut-être pas explicite pour toi. En fait, "20nm-class", ça veut plus ou moins dire "entre 20 et 29 nm".
Les références qui sont donner au-dessus sont les références de la puce Elpida en 25 nm CMOS la carte de ton new, non celle de Sansumg en 20 nm.
voici les différents puces par samsung( class ne veut pas dire entre 20nm et 29nm comme pcword le dit... le seul site qui en parle ) c'est samsung qui appelle c'est puce comme sa d’après se que j'ai vue.
Mais en fait, tu comprends vraiment rien, ou tu le fais exprès
voici les Caractéristiques principales de la Nouvelle SDRAM DDR3 25nm en question.
Les références : EDJ4104BCBG / EDJ4108BCBG
Le processus de fabrication : 25nm CMOS
La densité de la mémoire : 4 gigabits
CQFD.
Edit : je viens de réaliser : "20nm-class", c'était peut-être pas explicite pour toi. En fait, "20nm-class", ça veut plus ou moins dire "entre 20 et 29 nm".
Les références qui sont donner au-dessus sont les références de la puce Elpida en 25 nm CMOS la carte de ton new, non celle de Sansumg en 20 nm.
voici les différents puces par samsung( class ne veut pas dire entre 20nm et 29nm comme pcword le dit... le seul site qui en parle ) c'est samsung qui appelle c'est puce comme sa d’après se que j'ai vue.
Mais en fait, tu comprends vraiment rien, ou tu le fais exprès
?
voici les Caractéristiques principales de la Nouvelle SDRAM DDR3 25nm en question.
Les références : EDJ4104BCBG / EDJ4108BCBG
Le processus de fabrication : 25nm CMOS
La densité de la mémoire : 4 gigabits
CQFD.
Edit : je viens de réaliser : "20nm-class", c'était peut-être pas explicite pour toi. En fait, "20nm-class", ça veut plus ou moins dire "entre 20 et 29 nm".
Les références qui sont donner au-dessus sont les références de la puce Elpida en 25 nm CMOS la carte de ton new, non celle de Sansumg en 20 nm.
voici les différents puces par samsung( class ne veut pas dire entre 20nm et 29nm comme pcword le dit... le seul site qui en parle ) c'est samsung qui appelle c'est puce comme sa d’après se que j'ai vue.
Mais en fait, tu comprends vraiment rien, ou tu le fais exprès
Nan, mais, en même temps, dans son pseudo, y a norton, hein !!
Encore un qui, le nez dans son caca (pardon, shooby, je ne peux pas m'en empêcher !
voici les Caractéristiques principales de la Nouvelle SDRAM DDR3 25nm en question.
Les références : EDJ4104BCBG / EDJ4108BCBG
Le processus de fabrication : 25nm CMOS
La densité de la mémoire : 4 gigabits
CQFD.
Edit : je viens de réaliser : "20nm-class", c'était peut-être pas explicite pour toi. En fait, "20nm-class", ça veut plus ou moins dire "entre 20 et 29 nm".
Les références qui sont donner au-dessus sont les références de la puce Elpida en 25 nm CMOS la carte de ton new, non celle de Sansumg en 20 nm.
voici les différents puces par samsung( class ne veut pas dire entre 20nm et 29nm comme pcword le dit... le seul site qui en parle ) c'est samsung qui appelle c'est puce comme sa d’après se que j'ai vue.
Mais en fait, tu comprends vraiment rien, ou tu le fais exprès
Nan, mais, en même temps, dans son pseudo, y a norton, hein !!
Encore un qui, le nez dans son caca (pardon, shooby, je ne peux pas m'en empêcher !
Les deux géants de la mémoire annoncent leurs nouvelles puces de DDR3, Elpida dévoilant la première puce de 4Gigabit ( 512Mo ) gravée en 25nm tandis que Samsung présente ses modules gravées en (20nm).
Pour sa puce de 512Mo, Elpida annonce, par rapport à la génération précédente en 30nm, des tensions en baisse de 30 à 50% en veille et 25 à 30% en fonctionnement. En plus de ces gains sur les tensions, le 25nm booste la productivité de 45%, toujours face à la génération 30nm.
Sa nouvelle puce de 512Mo pourra opérer à 1866MHz sur une tension de 1.35V ou 1.5V. La production de masse devrait débuter un peu plus tard dans l'année.
samsung ddr3 20nm. Le sud-coréen ne se laisse pas abattre, puisque sa nouvelle usine "Line-16" basée dans le Samsung's Nano City Complex, située dans une province de la Corée du Sud, aura coûté la un investissement très lourd au constructeur. Cette usine inaugurée récemment a fourni les premiers échantillons viables de mémoire en 20nm, la production de masse étant déjà lancée.
Samsung va débuter la production par des modules de 256Mo mais rejoindra Elpida sur le terrain des modules de 512Mo en fin d'année pour produire des barettes de 16Go à 32Go. Ses puces sont annoncées 40% plus économes en énergie par rapport aux puces gravées en 30nm et la productivité augmente de 50%.
Pour la petite histoire, cette nouvelle usine est la plus imposante du monde avec un batiment de 12 étages et d'environ 200 000m2 d'espace de travail. Pas moins de 10 milliards de dollars auront été investis par Samsung dans cette usine pour consolider sa place de leader sur le marché de la mémoire.
Qui a son nez dans le caca maintenant ?
Ou alors nous sommes plusieurs a l'avoir dans le caca.
Parle pas de entre 20 et 29 nm ni de class, juste de Elpida en 25 nm et Samsung en 20 nm.
Question pourquoi ont ne parle pas de la puce samsung en 2x nm mais bien en 20 nm ?
je ne vois pas se que mon pseudo a avoir avec la new ?
Je ne suis pas le seul alors, vue le texte au-dessus ne vient pas de moi.
http://www.59hardware.net/actualite/memoire-vive/du-20nm-pour-samsung-et-25nm-pour-elpida-2011092311581.html
http://www.samsung.com/global/business/semiconductor/newsView.do?news_id=1256
Ah, il y a une petite étoile, voyons à quoi elle renvoie...
OhhHhhHHHHH !!! Benzutalors... 20nm-class, ça veut dire "entre 20 et 29 nm" !!!!
Mais peut-être que Samsung lui-même se trompe et ne sait pas ce qu'il fabrique