Micron : mémoire DDR3 en approche

Micron est le troisième fabricant de puces mémoires derrière Samsung et Elpida a produire des exemplaires de test de modules de mémoires DDR3. L’objectif de la mémoire DDR3 est de doubler la vitesse actuelle atteinte par la DDR2.

Gravure en 78 nm

Les puces DDR3 de Micron sont produites grâce à une technologie de gravure 78 nm et existent en capacités de 512 MBits, 1 Gbit et 2 Gbits. Les modules disponibles sont des modules de DDR3-800, DDR-1066 et de façon plus restreinte de DDR3-1333. La DDR3 est prévue pour atteindre des vitesses de fonctionnement de l’ordre de 800 MHz, soit de la DDR3-1600.

Réduction de la consommation

En plus de performances accrues, la mémoire DDR3 permet également de réduire la consommation d’énergie. En effet, alors que la DDR2 fonctionne en 1.8 volts, la DDR3 n’utilise une tension que de 1.5 volts. Attention tout de même, la puissance consommée croît avec l’augmentation de la fréquence de fonctionnement, de sorte que si un module de DDR3-800 consommera moins qu’un module de DDR2-800, il n’en sera pas de même avec un module de DDR3-1600...

L’arrivée de la DDR3

Actuellement, aucune plateforme commercialisée ne supporte encore la mémoire DDR3, mais certains fabricants travaillent déjà sur la conception de systèmes compatibles avec de tels modules de mémoire. Elpida a ainsi envoyé les premiers prototypes de modules DDR3 à Intel dès le mois de novembre dernier, avec pour objectif la sortie d’un chipset supportant la DDR3 pour la seconde moitié de 2007. Micron devrait débuter la production de masse de modules DDR3 au second trimestre 2007.

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