Toshiba : début de la construction de Fab 4

Toshiba et SanDisk viennent d'annoncer le début de la construction de Fab 4, une usine destinée à fabriquer des modules de mémoire flash NAND à partir de wafers de 300 mm et grâce à une technologie de gravure en 56 nm. Cette usine devrait prendre place à coté du site déjà existant de Yokkaichi comme nous vous l'annoncions il y a quelques jours (Toshiba : retour aux bénéfices).

67 500 wafers à terme

Fab 4 aura une capacité initiale de production de 2500 wafers lors de sa mise en service au quatrième trimestre 2007. Au quatrième trimestre 2008, cette capacité de production devrait atteindre 67 500 wafers de 300 mm. Les mémoires produites par Fab 4 seront partagées de manière équilibrée entre Toshiba et SanDisk.

Les ventes de mémoires flash étant dopées ces derniers mois par leur utilisation dans les téléphones cellulaires et les équipements électroniques grand public dédiés au stockage de données, comme les clés USB, il est logique que de plus en plus de fabricants augmentent leurs capacités de production, dans le but d'augmenter leur bénéfice...

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