RIM : "La mémoire Flash atteint ses limites"
A l'occasion d'une conférence, une ingénieure de RIM (le fabricant des Blackberry) a évoqué les problèmes de fiabilité de la mémoire Flash, et confirme ce que nous craignions : plus la capacité des puces augmente, plus leur fiabilité diminue. Au point de ne plus être suffisante...
Karin Werder, directrice du département développement mémoire chez RIM, a souligné que depuis plusieurs années, les besoins en stockage des smartphones n'ont fait qu'augmenter. Comme il n'est pas possible, faute de place, de multiplier le nombre de puces de mémoire embarquées, les fabricants doivent utiliser des puces de plus en plus denses. Cette augmentation de la densité se fait classiquement par la réduction de la taille des transistors et par le recours à des mémoires de type MLC, stockant plusieurs bits d'informations dans une même cellule.
Malheureusement, conjugués, ces deux phénomènes sont désastreux pour la fiabilité, autrement dit pour la stabilité dans le temps des données stockées. Werder a communiqué des chiffres que les fabricants de mémoire Flash sont peu enclins à rendre publics : les puces MLC 2-bits gravées en ≈50 nm ont la capacité de résister à 10000 cycles d'effacement/écriture, celles gravées en ≈30 nm résistent à 5000 cycles, et les plus récentes gravées à ≈20 nm lâchent après 3000 cycles. Pire encore, les MLC 3-bits ne tiennent que 1000 cycles ! Pour Werder, ces puces ne sont tout simplement pas assez pérennes pour être intégrées dans un smartphone censé être renouvelé au bout de deux ans en moyenne. Elles seront réservées aux clés USB et autres cartes mémoires d'entrée de gamme.
Ces chiffres sont inquiétants. Ils montrent une tendance à la division par deux de la longévité des puces à chaque progression dans la finesse de gravure. On comprend mieux pourquoi ni Samsung, ni Toshiba, ni Micron n'ont annoncé des puces de NAND Flash gravées plus fin que 20 nm. Mais alors serait-ce la fin de la mémoire Flash ? Non, certes, car elle n'a toujours pas de remplaçante, mais il va falloir s'habituer à ne plus voir les capacités de stockage s'envoler comme elles l'ont fait ces précédentes années. A moins, que les chercheurs des grands producteurs trouvent une solution. D'ailleurs, Intel Micron Flash Technologies produit déjà de la mémoire MLC "entreprise" gravée en 34 nm mais résistant à 30 000 cycles d'effacement/écriture.
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Dans ce cas, la MLC va disparaitre au profit de la eMLC qui sera donc même utilisée par le grand public non ? A moins que des avancées techniques arrivent avant cela.
Ou alors que les dev perdent l'habitude de gaspiller les ressources des machines ciblées ?
Ou alors que les dev perdent l'habitude de gaspiller les ressources des machines ciblées ?
Depuis le temps qu'on l'espère ça...
Ou peut-être encore plus simplement qu'ils ne produisent que de la mémoire de qualité? qui va vouloir acheter de la clef USB "ré-inscriptible 3000 fois"?
(entre guillemets parce qu'en règle générale on n'écrit pas sur l'intégralité d'une clef USB à chaque fois.
Je trouve ça un peu honteux d'accepter de vendre de la mémoire, même à bas prix tout en sachant qu'elle ne va pas durer longtemps, sans vouloir la jouer écolo, c'est quand même du gâchis de matière première, il semble loin le temps où les choses étaient construites pour durer.
mais il faut se la jouer écolo!
uff, il y a encore de la marge tant dans la finesse de la gravure que surtout de l'optimisation du contrôleur par multiplication des canaux.
La limite de l'SSD en 2.5" est 2'400-2'500 MB/s.
Par contre que la MLC à 3 bit soit peu fiable ça c'est un autre discours.
comme tu le signales megaloute, ca mérite quelques guillemets :
le MTBF des flashs est effectivement de plus en plus réduit, cependant les controleurs associés à ces flashs, par exemple pour les clefs USB, est "intelligent" (comprendre par la qu'il a l'algorithme qui va bien) et étale les données pour homogénéiser le nombre de cycle par secteur.
--> l'avantage : sauf si tu ne fais que du vidage / remplissage de la totalité de la capa dispo, la durée de vie de ton produit augmente de façon considérable (tu utilises en moyenne 500Mo d'une clé de 4Go : tu multiplies sa durée de vie par 8, soit pour un MTBF de 1000 cycles, en imaginant que tu utilises ta clef tous les jours, 4 fois par jours, tu peux quand même l'utiliser pendant 5 ans et demi...)
--> l'inconvénient : cette répartition homogène implique aussi que tu n'as pas d'alerte : quand ca commence à lacher, tout lache en même temps....
Et il attendent quoi pour utilisé des mini disque dur en nanotube de carbone? http://www.presence-pc.com/actuali [...] fer-35224/ écologie et fiabilité!!
Bah, quand les gens en auront marre de perdre des données avec des clefs qui déconnent, les constructeurs sortiront les mémoires "professionnelles" à 30000cycles et les vendront une fortune... je vois d'ici les arguments, fiabilité toussatoussa...
je ne sais pas s'il y a rapport, mais c'est la troisième microSD qui lâche dans mon téléphone, en trois ans... elle servent beaucoup, j'utilise souvent mon tel comme appareil photo...
Et il attendent quoi pour utilisé des mini disque dur en nanotube de carbone? http://www.presence-pc.com/actuali [...] fer-35224/ écologie et fiabilité!!
Les nanotubes de carbone ne sont pour l'instant pas des miracles d'écologie ... Ils sont notamment très dangereux pour la santé si mal utilisés.
je ne sais pas s'il y a rapport, mais c'est la troisième microSD qui lâche dans mon téléphone, en trois ans... elle servent beaucoup, j'utilise souvent mon tel comme appareil photo...
C'est tout à fait sa. Quand on utilise toute la "place" d'un périphérique en mémoire flash, et de plus régulièrement, sa durée de vie est grandement diminué. En plus, en microSD, c'est justement de la mémoire "haute capacité" à gravure fine qui est utilisé normalement (comment tu crois qu'on puisse mettre 16Go sur du micro sd sans du