De la flash en 2x nm chez Hynix
50, 30, 20 ?
Comme pour les processeurs, la finesse de gravure est importante sur la mémoire flash. Plus la finesse est bonne, plus le prix diminue et la capacité augmente. Les premiers SSD « grand public » utilisaient de la mémoire en classe 40 ou 50 nm, les actuels plutôt en classe 30 nm et les futures modèles de la classe 20 nm. La finesse est généralement meilleure que sur les CPU car la structure de la mémoire est bien plus simple et régulière, ce qui est un atout de taille.
Hynix, un des grands fabricants de mémoire flash, vient d'annoncer de la mémoire MLC (a priori de la 2 bits) gravée en classe 20 nm (soit entre 20 et 29 nm, a priori 25 ou 28). La mémoire en question offre une capacité de 8 Go par puce et est gravée sur des wafers de 300 mm dans l'usine de Cheo ngju (Corée du Sud). La diminution de la finesse de gravure (on est actuellement sur du 30/40 nm) permet d'une part de faire baisser les prix (on produit plus de mémoire sur la même surface) et d'autre part d'augmenter la capacité (on produit plus de capacité sur la même surface).
Petit problème des puces en 2x nm, la fiabilité semble assez moyenne et Samsung limite par exemple sa mémoire de ce type à des usages où les écritures sont rares, comme les OS des téléphones ou les cartes mémoire des appareils photo (avec des puces de 4 Go). Intel (en partenariat avec Micron) compte par contre utiliser ses puces de MLC dans des SSD, la prochaine génération de SSD Intel devrait d'ailleurs utiliser ce type de mémoire et doubler sa capacité.
Reste à voir quand les puces débarqueront réellement et si elles sont assez résistantes pour être réellement utilisées dans des SSD.
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faudrait qu'il s'attarde un peu plus sur la fiabilité plutôt que de vouloir absolument la plus petite finesse de gravure.
ah pour une fois que ce n'ai pas global fountry ou TSMC
Et d'ailleurs les SSD Intel G3, c'est pour quand ?
Fin d'année, sans plus de précisions