La FRAM de Fujitsu passe au 180 nm

Fujitsu vient d'annoncer que ses FRAM passaient d'une gravure en 350 nm à une gravure en 180 nm (non, vous ne lisez pas une actualité Nostalgeek 2001). La FRAM (Ferroelectric Random Access Memory) est une mémoire destinée à remplacer les EEPROM pour le stockage des firmware et autres microcodes. Cette mémoire permet en effet de stocker des données pendant 10 ans au minimum tout en offrant des performances élevées en écriture. Gros avantage par rapport à la mémoire flash NAND, elle fonctionne en accès direct, comme la flash NOR utilisée habituellement pour cet usage, ce qui évite la lecture par bloc et donc l'obligation d'utiliser un cache interne.

La mémoire de Fujitsu est compatible avec les interfaces classiques utilisées dans les EEPROM et offre des capacités de 64, 128 et 256 kilobits. Gros avantage du passage en 180 nm (oui, comme les processeurs de 2001), la consommation est très faible. Avec la multiplication des firmware programmables dans les appareils actuels, les puces en question devraient se vendre assez facilement.