Fujitsu produit des FRAM de 2 Mbit

Fujitsu vient d’annoncer qu’il avait démarré la production de masse de puces FRAM de 250 Ko. Ce sera la plus grande capacité produite en masse actuellement. Les puces produites utilisent les mêmes caractéristiques électriques et le même package que les puces 125 Ko, ce qui permet de réduire les coûts. On comprend combien cela est d’ailleurs nécessaire alors qu’une puce est vendue autour de 16 $. Destinée à remplacer des mémoires comme l’EEPROM ou la BBSRAM, cette mémoire non volatile consomme moins d’énergie que ses concurrentes tout en disposant d’un plus grand nombre de cycle de lecture-écriture, puisque l’on parle d’une durée de vie de 10 milliards de cycles. On estime qu’une FRAM peut garder une information en mémoire pendant 10 ans sans l’aide d’une batterie. Elle est donc aussi bien plus performante que la mémoire Flash, mais pèche par ses faibles capacités. On envisage son application dans des outils de navigation ou des imprimantes, bref dans des produits où l’on a besoin de stocker divers paramètres.

La FeRAM (Ferroelectric RAM) est une mémoire non volatile, dont la construction reste proche de celle des DRAM. On retrouve donc le design 1T-1C de la DRAM, chaque cellule étant composée d’un transistor et d’un condensateur qui retient le courant. Le condensateur d’une FeRAM a cette différence qu’il utilise des matériaux ferroélectriques pour retenir les données. Il prend généralement la forme d’un film en céramique de PZT (Titano-Zirconiate de Plomb). Elle est donc simple à fabriquer, mais moins dense que ses concurrentes. Sa non-volatilité vient du fait que, contrairement à la DRAM qui connaît des fuites et doit donc être rafraîchi plusieurs fois par seconde, demandant donc constamment de l’énergie, le condensateur de la FeRAM n’a pas ce problème. Il ne requiert de l’énergie que pour la lecture ou l’écriture des données.