Gate first : Samsung retourne sa veste

Samsung est sur le point de commencer à utiliser des couches d’oxyde isolantes de grille à haute permittivité électrique (high-k) et contrairement à ce qui avait été annoncé, il utilisera la méthode de fabrication gate last, à l’instar d’Intel et TSMC.

Le Fab Club a adopté le gate first

Les premières grilles high-k seront utilisées lors de la fabrication de ses puces en 32 nm et comme prévu, il emploiera une méthode gate first qui place l’électrode métallique de la grille avant le recuit. C’est la méthode adoptée par Globalfoundries, NEC, ST Microelectronics et Toshiba, bref, les membres du « Fab Club » menés par IBM. Néanmoins, cette pratique est critiquée par certains experts qui affirment que les rendements seraient insatisfaisants.

Une méthode de fabrication contestée

Les craintes se sont d’ailleurs accentuées lorsque TSMC a décidé de changer de camps pour passer au gate last qui place l’électrode après le recuit, rejoignant ainsi Intel (cf. « Le Fab Club d’IBM n’a pas de problème »). Il semblerait que Samsung suive les traces du fondeur taïwanais alors qu’il a annoncé présenter un papier durant l’IEEE 2010 vantant les mérites du gate last qu'il devrait utiliser pour son 28 nm.

Cette annonce est donc une gifle de plus pour le Fab Club dont l’insistance à utiliser le gate first est de plus en plus critiquée.