Hynix va utiliser la mémoire dynamique Z-RAM

Hynix et la société Innovative Silicon viennent de signer un accord concernant l’exploitation sous licence de la technologie Z-RAM (Zero Capacitor RAM). Le fabricant de mémoire vive devrait en effet utiliser de façon massive cette technologie pour ses futures puces mémoires. Le montant de l’opération s’élèverait à environ 10 millions de dollars, royalties non compris.

La Z-RAM

Destiné à remplacer les actuelles mémoires SRAM et DRAM, ce type de mémoire utilise pour stocker un bit de donnée un unique transistor et aucun condensateur. La conséquence directe est une diminution de la taille d’une cellule de mémoire à finesse de gravure identique. De quoi augmenter la densité tout en diminuant la taille des puces… En revanche, si la latence reste quasiment identique, la vitesse de transfert serait légèrement moins élevée que les puces classiques.

Hynix envisage de doubler la capacité de ses puces de mémoire vive grâce à l’utilisation de cette Z-RAM. Ce serait alors le premier changement important dans la conception de puces de mémoire vive depuis l’apparition de la mémoire dynamique dans les années 1970.

• Dossier : Retour sur le futur des mémoires