SanDisk : de l’iNAND en 24nm pour l’embarqué
Le constructeur SanDisk prépare actuellement de nouveaux modules de mémoire flash iNAND et iNAND Ultra destinés au marché de l’embarqué.
MLC, 2 ou 3 bits par cellule
Utilisant des puces de mémoire flash NAND MLC gravées en 24 nm (3-bit-par-cellule concernant l’iNAND et 2-bit-par-cellule pour l’iNAND Ultra), ces modules EFD (Embedded Flash Drive) de 64 Go maximum sont proposés dans un packaging relativement compact avec des dimensions de 11,5 x 13 x 1 mm. La disponibilité est annoncée pour le troisième trimestre 2011.
Si les modules iNAND sont principalement destinés aux smartphones, SanDisk lance également des modules iSSD destinés aux tablettes taciles. Disponibles dans des capacités allant de 4 Go à 64 Go, ces modules au format BGA utilisent des puces de mémoire NAND MLC. Les spécifications exactes de ces produits sont hélas encore inconnues.
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