Infineon : des transistors en 3D

Infineon vient d’annoncer avoir mis au point des transistors multi-grilles FINFET, également connus sous le nom de transistors 3D (en opposition aux transistors planaires actuels), ayant la capacité de réduire de façon sensible les courants de fuite. La société estime que des puces conçues avec ce type de transistors pourraient consommer jusqu’à 50% d’énergie en moins.

La géométrie au secours des transistors

En effet, de la même manière que le transistor à 3 grilles présenté par Intel plus tôt dans l’année permet grâce à sa géométrie de diminuer les courants de fuite (en entourant 3 des 4 côtés du canal source-drain par une grille), plusieurs côtés du canal source-drain du transistor multi-grilles d’Infineon sont couverts, aboutissant ici aussi à une diminution des courants de fuite vers le substrat.

Diminuer la consommation, augmenter les performances

Infineon a ainsi mis au point une puce dotée de plus de 3 000 transistors de ce type. Les courants de fuite de cette puce ont été diminués par un facteur de 10. L’autre intérêt de cette technologie est de demander près de 30 % d’espace en moins par rapport à un transistor planaire, à fonctions et performances équivalentes.

A terme, ces améliorations pourront être utilisées soit pour diminuer la consommation des puces, soit pour augmenter leur fréquence de fonctionnement. Infineon ne prévoit toutefois pas une production de masse de puces utilisant ses transistors multi-grilles avant 2012 au plus tôt.