Cuivre et dioxyde de silicium dans une nouvelle mémoire

Des chercheurs américains ont développé une mémoire composée de cuivre et de dioxyde de silicium, utilisant le phénomène de résistance électrique. Elle utilise des procédés de fabrication connus ce qui devrait aider sa démocratisation.

Un principe similaire à la MRAM

La MRAM (Magnetoresistive RAM) est une mémoire non volatile développée depuis les années 1990. Contrairement aux RAM traditionnelles, les données ne sont pas constituées de charges électriques, mais magnétiques.

Pour faire simple, la lecture des données s’effectue en mesurant la résistance électrique d’une cellule. Si la résistance est faible, on prendra cela pour un 0 tandis que si la résistance est plus grande on considéra que la valeur sera 1. Pour plus de détails, nous vous invitons à consulter notre dossier d’actualité « Retour sur le futur des mémoires ».

Au lieu d’aimant, on fait appel à du cuivre et du dioxyde de silicium

Des chercheurs du Centre de l’État de l’Arizona pour les nanoioniques appliqués (CANi) ont présenté une mémoire qui fonctionne sur le même principe. Néanmoins, contrairement à la MRAM, elle serait plus simple à produire, car elle utiliserait des procédés de fabrication déjà utilisés dans la fabrication de puces actuelles.

Selon les chercheurs, le cuivre injecté dans le dioxyde de silicium devient mobile. À titre d’information, le montant de cuivre incorporé est équivalent à la taille d’un virus. Le but est de placer ce cuivre entre deux électrodes de façon à obtenir une faible ou forte résistance suivant que l’on désire un 0 ou un 1.

Il serait aussi possible, selon les chercheurs de stocker plusieurs bits par cellule en ayant des séquences de résistance au sein d’une même cellule. Une résistance forte puis faible puis forte correspondrait à 101. On parle de 4 à 8 bits par cellule.

On a le temps avant de la voir dans des produits grand public

Cette mémoire étant non volatile, et ses performances se situant entre la DRAM et la SRAM, on l’imagine déjà dans les baladeurs numériques et les téléphones de demain. Il reste néanmoins encore beaucoup de progrès à faire avant qu’elle ne voit le jour.

Il faudra aussi convaincre les industrielles de l’adopter alors qu’Intel, Samsung, Elpida et Hynix misent beaucoup sur la PRAM.