La plus haute densité de mémoire jamais fabriquée

Des scientifiques de la Caltech (California Institue of Technology) viennent de révéler le circuit-mémoire le plus dense jamais fabriqué au monde. La cellule de mémoire conçue en partenariat avec UCLA (University of California, Los Angeles) atteint 160 kilobits pour une densité de 100 gigabits par centimètre carré.

« Chaque cellule est capable de contenir la déclaration d’indépendance des États-Unis d’Amérique tout en ayant encore de la place, selon Caltech. »

Le mariage réussi

Une cellule (qui a la même taille qu’une cellule sanguine) contient 400 câbles en silicium traversés par 400 câbles en titanes, avec, entre les deux, des interrupteurs moléculaires. Ces interrupteurs, appelés « rotaxanes », sont composés d’une molécule en forme d’anneau encerclant une autre molécule en forme d’altère. Cela peut d’ailleurs faire penser à une bague de mariage sur un doigt. Suivant si l’interrupteur est actionné ou pas, la position de « l’anneau » par rapport à « l’altère » change. Pour info, chaque croisement desdits câbles correspond à 1 bit, ce que fait que chaque bit à une taille de 15 nanomètres de large.

D’ici 2020 ?

Un professeur de Caltech affirme :

« C’est le genre de produit [NDLR : en parlant de ladite mémoire] qu’Intel rêverait de fabriquer pour 2020.  »

Si le but premier de ce genre de recherche est seulement de comprendre le fonctionnement des circuits électriques à l’échelle moléculaire, tout le monde envisage une application commerciale. Néanmoins, personne ne peut dire si ce genre de mémoire fera son apparition dans nos portables en 2020 ou même plus tard. De toute façon, comme le dit si bien un des professeurs de chimie de Caltech :

« Qu’il soit possible ou pas de mettre cette nouvelle mémoire dans un ordinateur portable, je ne sais pas, mais on a le temps. »