Une mémoire intelligente

Des scientifiques de l’Université de Californie Riverside ont dévoilé un composant en graphène combinant les propriétés d’une mémoire et d’un circuit logique, permettant à un ordinateur d’être opérationnel sans passer par une séquence d’amorçage.

Ce nouveau type de transistor pourrait être une réalité d’ici cinq ans selon les chercheurs qui affirment qu’il permettrait de créer une nouvelle génération de machine constamment allumée et consommant moins.

Pour arriver à leur fin, les universitaires ont introduit un électron en mouvement dans une résistance en graphène, un film de carbone d’un atome d’épaisseur. Cet électron représente un bit. Il suffit alors d’en placer suffisamment dans cette mémoire non volatile pour disposer d’une suite de données représentant l’état allumé de la machine. Les fréquences de fonctionnements seraient aussi grandement optimisées, car au lieu de laisser passer le courant ou pas, on ne fait que changer le spin des électrons. Cela permet aussi d’augmenter la capacité de la mémoire et éviter les goulots d’étranglement au niveau des bus systèmes, puisque l’on ne transporte plus de données, tout étant déjà en mémoire.

Les premiers tests en laboratoires sont prometteurs, même s’ils consomment plus qu’une DRAM ou SRAM classique pour le moment. Les chercheurs travaillent aussi sur les isolants qui permettent d’accroître la durée du spin de l’électron.