IBM va fabriquer l'Hybrid Memory Cube, 10x plus rapide que la DDR3

The next big thing, comme disent les anglophones, dans le domaine de la mémoire devrait être l'Hybrid Memory Cube inventé par Micron. Cette puce repose sur une inédite conception 3D, dans laquelle les dies de mémoire vive et un contrôleur dédié sont empilés et connectés via des connexions verticales traversant les dies de silicium (Through Silicon Vias, ou TSV). Cette architecture nécessite de nouvelles techniques de fabrication et Micron a choisi de s'allier avec IBM, qui serait le premier fondeur à maîtriser la fabrication à grande échelle des TSV.

IBM et Micron dévoileront plus de détails sur l'architecture du Hybrid Memory Cube (HMC) lundi prochain IEEE International Electron Devices Meeting. Les premiers HMC seront gravés en 32 nm dans l'usine d'East FishKill (New york, États-Unis). Le potentiel des HMC est énorme : les prototypes délivrent une bande passante dix fois supérieure aux puces DDR3 classiques,  consomment 70 % de moins à bande passante équivalente et occupent une surface 10 fois plus petite. Le HMC est promu par un consortium réunissant Micron, Samsung, IBM, Xilinx et Altera.