De la MLC 3 bits en 25 nm chez Intel

Intel vient d'annoncer que sa coentreprise avec Micron est capable de produire de la mémoire flash « TLC » (Triple Level Cell) en 25 nm. La TLC (le nom donné par Intel à cette mémoire) est capable de stocker trois états dans une cellule de mémoire flash, ce qui permet d'obtenir une densité d'informations importante. Gravée en 25 nm, la mémoire en question offre une capacité de 64 gigabits (8 Go) dans 131 mm² et est parfaite — dixit Intel — pour les clés USB et les cartes mémoire.

Et les SSD ?

Pour les SSD, c'est moins intéressant. La mémoire MLC classique (à deux états) est plus ou moins généralisée dans les SSD « grand public » mais les modèles haut de gamme (ou professionnels) lui préfèrent la mémoire SLC. La raison ? La mémoire SLC est plus endurante dans le temps (entre 10 et 20 fois plus d'écritures possibles sur une cellule) et plus performante en écriture, la gestion des différents états ralentissant ces dernières. Et comme le passage d'un à deux états, le passage de deux à trois états diminue la durée de vie et les débits en écriture. Rappelons qu'Intel va utiliser de la MLC à deux états en 25 nm pour ses prochains SSD grand public et de la eMLC pour ses SSD professionnels.