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DDR3 : intérêt et comparatif

DDR3 : intérêt et comparatif
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Les fruits de la Joint Venture Intel Micron

Mercredi 16 août 2006 à 12:28 par David Civera
Source: DigiTimes – Catégorie : Mémoires
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IntelIntel est le premier fabricant mondial de microprocesseurs pour ordinateurs. Le terme Intel est issu de la contraction de « Integrated Electronics »).... et Micron viennent d’annoncer les premiers fruits de leur Joint VentureFiliale commune à deux groupes, qui s’associent pour l’occasion alors qu’ils sont sinon concurrents. Une Joint Venture est, littéralement, un risque p..., nommé IM Flash Technologies (cf. « Mémoires NAND : Intel signe avec Micron »), avec la sortie de modules mémoires NANDPrincipal type actuel de mémoire flash. La mémoire flash NAND repose sur une technologie mise au point par Toshiba à la fin des années 80. Elle a pris... 8 Gbits produits dans leurs usines. Les puces gravées en 90 nm sont composées de quatre dieLe Die désigne la partie élémentaire, de forme rectangulaire, reproduite à l’identique à l’aide d’une matrice sur une tranche de silicium en cours de ... de 2 Gbits mis les uns sur les autres.

Néanmoins, nous ne savons pas s’il s’agit de cellule simple ou multi niveau. Le Single Level CellProcesseur conçu en collaboration par IBM, Sony et Toshiba et dont le principal débouché actuel est la PlayStation 3. Le processeur Cell est un procès... (SLC) ou cellule simple niveau retient un bit par cellule mémoire et de l'autre côté le Multi-level Cell (MLCMulti-Level Cell. Technologie qui permet d’obtenir des puces de mémoire flash NAND de capacité élevée. Dans une puce mémoire classique (Single-Level C...)ou cellule multi niveau stock plusieurs bits par cellule mémoire et dispose donc d’une plus grande densité, d’une plus faible consommation et de meilleurs temps d’accès. Au vu des avancés technologiques, nous penchons néanmoins pour une mémoire MLC.

IM Flash annonce déjà produire suffisamment de puces pour satisfaire la demande de ses clients des marchés d’entrée et de milieu de gamme.


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