Des chercheurs de l’école d’ingénieur de l’Université de Pennsylvanie viennent de publier leurs recherches portant l’utilisation de nanofils (nanowires en anglais) comme solution de stockage.

Extérieur et intérieur

Le nanofil possède une coquille composée de germanium-tellure (GeTe). À l’intérieur de cette coque, on trouve le core, l’âme du câble composé de germanium, antimoine et tellure (Ge2Sb2Te5). Il est intéressant de noter que ces deux matériaux peuvent connaître des changements de phase. Stimulés par un champ électrique, les matériaux peuvent passer d’un état cristallin et ordonné à un état amorphe et désordonné.

Le premier état a une faible résistance électrique, contrairement au second. Il suffit donc qu’un courant électrique les traverse pour que l’on connaisse leur état et que l’on en déduise si l’on a affaire à un 0 (état cristallin) ou un 1 (état amorphe). Jusque-là pas de soucis et on retrouve le principe de fonctionnement d’une PRAM.

0, 1 et 2

Ces nanofils sont néanmoins très intéressants, car l’état de la coque peut être indépendant de l’état due l’âme (l’un peut être amorphe tandis que l’autre est cristallin), créant ainsi un troisième niveau de résistance qui pourrait être interprété comme un 2. On dépasse ainsi le simple langage binaire et on crée un système permettant de contenir plus de données.

Les recherches sont encore à un stade préliminaire et personne ne sait si cette technologie verra un jour la lumière de nos ordinateurs, mais cela a le mérite de laisser rêveur.

Source : DailyTech