Influencer le spin des électrons grâce à du graphène et de l'or

Des chercheurs russes allemands et américains ont montré qu’il était possible de créer une cellule en graphène et en or capable de modifier le spin des électrons grâce à l’application d’un champ électrique. Les résultats ont été publiés dans la revue Nature Communications.

Un interrupteur en graphène modifiant le spin des électrons

Le graphène est limité à des usages bien précis et peu commun en spintronique. Une des raisons est que ses propriétés ne lui permettent pas en principe de modifier de manière importante le spin des électrons qui le traverse. Néanmoins, cela change de façon considérable lorsque la couche d’atomes de carbone est posée sur de l’or.

Il semblerait que ces recherches soit une application de la théorie du transfert des électrons qui a montré que les propriétés de graphène étaient influencées par le champ électrique du support sur lequel il était apposé. En l’espèce, les atomes d’or augmentent l’interaction spin-orbite (l’interaction qui permet de modifier le spin d’une particule) par un facteur de 10 000.

Une mémoire en graphène

Concrètement, le communiqué affirme qu’il serait possible de créer une sorte d’interrupteur en graphène qui pourrait modifier le spin des électrons, laissant penser à une DRAM jouant sur ce phénomène pour stocker des informations dans ses cellules. Nous avouons qu’il y a encore beaucoup de chemin à faire, mais une fois de plus, le graphène fait rêver.