Samsung : 4 Gb de DDR3 en 40 nm
Samsung vient d’annoncer avoir lancé la production de masse de puces de 4 Gb de mémoire DDR3 gravées en 40 nm. Fonctionnant à une fréquence maximale de 1600 Mhz avec une tension de 1,5V ou 1,35V, ces puces sont d’ores et déjà utilisées pour fabriquer des barrettes de 16 Go et 32 Go de mémoire RDIMM, ainsi que des modules de 8 Go en SO-DIMM.
Selon Samsung, ces puces de 4 Gb gravées en 40 nm consomment 35% d’énergie en moins que des puces identiques de génération précédente. Maintenant qu’il est capable de produire de telles puces en masse, plus de 90% de la production de puces de mémoire DDR du constructeur devrait bénéficier de cette finesse de gravure.
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