30 nm, 32 Gbits : la nouvelle Flash de Samsung

Pile à l'heure ! En octobre 2007, Samsung annonçait fièrement avoir réussi à produire les premières puces de mémoire Flash avec une finesse de gravure de 30 nm (lire Samsung passe à 30 nm pour la mémoire flash MLC). D'une capacité de 64 Gbit (8 Go) pour les puces MLC et de 32 Gb pour les puces SLC, elles devaient arriver en masse sur le marché début 2009. Gagné : Samsung a annoncé hier les premières livraisons de cartes mémoires moviNAND utilisant une gravure en 30 nm.

Il y a tout de même eu un certain glissement du planning, mai pouvant difficilement être considéré comme le début de l'année, et la capacité des puces étant un cran en dessous de ce qui était attendu. Les cartes moviNAND atteignent 32 Go de capacité, grâce à 8 puces de 4 Go (32 Gbit) chacune. Samsung ne parle plus de 64 Gbit par puce pour le moment.

Quoi qu'il en soit, la sortie de ces cartes mémoires deux fois plus spacieuses que les précédentes 16 Go en 40 nm est une excellente nouvelle pour les fabricants de baladeurs et autres téléphones mobiles. Rappelons en effet que les puces moviNAND de Samsung intégrent dans un même emballage les puces mémoires et leur contrôleur. De l'extérieur elles sont vues comme des cartes en interface MMC et sont donc très facilement intégrables dans les appareils gérant déjà ce format.

Toshiba, l'un des principaux concurrents de Samsung pour la production de mémoire Flash a lui aussi récemment annoncé les premières livraisons de puces 32 Gbit gravées en 32 nm (cf. Des SSD de plus de 512 Go à Noël).