En mars dernier nous avons annoncé dans notre actualité « DDR2 Samsung et 80 nm » que Samsung allait produire des puces de mémoire DDR2 gravée en 80 nm. Maintenant, la technique de production semble être suffisamment au point pour que Samsung Electronics se décide à produire en masse des puces de 1 Gb (soit 128 Mo) de DDR2 gravées en 80 nm. Notez que cette finesse de gravure permet d’obtenir un packaging 36 % plus compact qu’en 90 nm : 11 x 11,5 mm contre 11 x 18 mm. Par ailleurs, cette technologie devrait réduire le coût de fabrication ainsi que la chaleur dégagée par les puces. La date de mise sur le marché est toujours inconnue, mais cela ne devrait plus tarder.