Samsung : première DDR2 gravée en 50 nm
Samsung Electronics a annoncé avoir produit les premières puces de DRAM DDR2 gravées en 50 nm. Ce nouveau procédé de fabrication devrait être 55 % plus productif que le 60 nm. Pour parvenir à réduire ainsi la taille des circuits, Samsung a fait appel à des transistors 3D, et des matériaux diélectriques multicouches. Les nouvelles cellules devraient commencer à être produites en masse d’ici 2008. Nul doute que, d’ici là, le procédé 50 nm sera appliqué à la DDR3.
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