Samsung accroît la densité de la mémoire Flash

Samsung a annoncé qu’il est parvenu à empiler 16 « die » de mémoire Flash Nand dans un package multi-chip, ce qui lui permettra de produire des puces de 16 Go ( le double de la densité actuelle), idéales pour les appareils électroniques les plus gourmands en mémoire flash, tels les baladeurs numériques.

Pour atteindre cette densité, Samsung a développé un procédé de production qui réduit de 35 % la finesse des wafers (galette de silicium). Ces wafers font 30 microns d’épaisseurs comparés aux wafers de 45 microns actuellement utilisés dans les packages contenant 10 « die » empilés. De plus, pour minimiser l’utilisation et de l’espace et la longueur des connexions entre les puces, Samsung a empilé les « dies » en zigzag et une nouvelle méthode de redistribution des couches lui permettant de câbler un seul côté de chaque « die » a été employée. Enfin, Samsung est également parvenu a réduire à 20 microns l épaisseur de la couche adhésive placée entre deux puces. Ainsi un empilement de 16 « dies » ne fait que 1,4 mm d’épaisseur alors que les packages multi-chip de 10 puces qui utilisent des couches adhésives de 60 microns ont une épaisseur de 1,6 mm. Samsung qui a récemment annoncé la mise au point d’une puce mémoire flash NAND de 32 Gbit gravée à 40 nm, n’a pas indiqué quand le nouveau procédé de fabrication sera exploité commercialement.