Samsung passe à 30 nm pour la mémoire flash MLC

Samsung vient d’annoncer de la mémoire flash qui utilise une finesse de gravure de 30 nanomètres (actuellement, on travaille plutôt en 56 nm, avec un passage prévu en 43 nm).

Pour la mémoire MLC uniquement

Actuellement, Samsung utilise la technique SaDPT (Self-Aligned Double Patterning Technology) pour sa mémoire. Elle permet de graver des puces de mémoire MLC, ce qui n’est pas vraiment intéressant. En schématisant, la mémoire flash MLC (Multi Layer Cell) permet de stocker 2 bits (ou plus) par transistor, alors que la SLC (Single Layer Cell) se limite à un seul. Mais la MLC a un gros défaut : elle est lente en écriture. Alors que les meilleurs mémoires SLC peuvent écrire à 40 Mo/s, la MLC se limite à 10 Mo/s environ. Et contrairement aux disques durs, l’augmentation de la densité n’augmente pas la vitesse. Par contre, la MLC est avantageuse dans certains cas : la miniaturisation est plus efficace (volume divisé par deux) et elle est moins onéreuse. En passant en 30 nanomètres, des capacités de 256 ou 512 Go en format 2,5 pouces ne sont pas irréalistes.

Bientôt dans les SSD ?

Samsung devrait commencer à produire des puces en 2009, avec donc uniquement de la MLC au départ. La fabrication de mémoire SLC se ferra plus tard. Notons que certains constructeurs, comme Transcend, proposent des SSD qui utilisent de la mémoire MLC. Ils ont donc l’avantage du prix (un modèle de 32 Go est moins onéreux qu’un modèle de 16 Go) mais pas de la vitesse, assez limitée en écriture. Au final, la mémoire SLC risque de rester cantonnée au haut de gamme, avec de la MLC en milieu de gamme.