Samsung produit de la RAM gravée en 60 nm
Samsung vient d’annoncer le lancement de la production de masse de puces de mémoire gravées en 60 nm. Le fabricant annonce un rendement de production amélioré de 40% par rapport à l’ancien procédé de fabrication en 80 nm. Ces puces de 1 Gbit, soit 128 Mo, devraient être utilisées dans des barrettes de mémoire de 512 Mo, 1 Go et 2 Go de DDR2 cadencées à 667 et 800 MHz.
La technologie de transistors 3D RCAT (Recess Channel Array Transistor) utilisée depuis 2003 par Samsung devrait permettre au fabricant d’améliorer encore la finesse de gravure. Samsung a d’ailleurs déjà présenté au mois d’octobre dernier une puce fonctionnelle de 1 Gbit gravée en 50 nm. Ce transistor 3D dispose d’un canal à électrons plus large qui, selon Samsung, optimise la vitesse des électrons dans chaque puce, ce qui en réduit la consommation énergétique et permet d’atteindre de plus grandes performances.
- Stockage,
- Stockage pro,
- samsung ,
- mémoire ,
- 60nm
- Lite-On rend le LightScribe plus simple
- Hiper : une alimentation avec ports USB !
- Une voiture Bluetooth chez Ford
- L'iPod Nano de Sony est arrivé !
- Le chipset AMD 690 fabriqué par UMC
- Un radiateur Wave chez Inno 3D
- VIA lance son chipset CN896 ''Vista-Ready''
- La carte mère Biostar P4M890-M7 en test
- Comparatif des offres Internet haut débit
- Tomb Raider 10th Anniversary : La fesse cachée du décor
- Lenovo rappelle plus de 200 000 batteries
- La Commission Européenne menace Microsoft
- Phase 2 pour les tests de l'OLPC
- AMD produira des chipsets pour processeur Intel
- Plus de 1 000 jeux PS2 compatibles avec la PS3
- Le HD DVD 51 Go pas encore terminé
- Le retour de la manette qui vibre chez Sony
- Baisse de forme financière pour Dell
