Sandisk bat le record de densité de la mémoire Flash

Intel et Micron avaient décroché le record de la puce de mémoire Flash la plus dense en présentant en décembre un die de 128 Gb, gravé en 20 nm, mesurant seulement 236 mm². Sandisk et Toshiba viennent de les dépasser avec un die de 128 Gb gravé en 19 nm de 170,6 mm². Le secret ? Des cellules à trois bits (TLC).

Ces puces utilisent une interface Toggle NAND à 400 Mbit/s, mais la vitesse d'écriture constatée en pratique ne dépasse pas 18 Mo/s. Cette vitesse est en outre obtenue avec des pages de 16 ko : il ne faut donc pas s'attendre à de bonnes performances sur des écritures de petits fichiers.

Mais cette mémoire ne s'adresse au marché des SSD haute performance. Elle intéressera bien plus les constructeurs de cartes mémoire, clés USB, mais aussi smartphones et tablettes, toujours avides de plus grosses capacités. Sandisk ne parle malheureusement pas du tout de mise en production de cette puce, au contraire d'Intel et Micron, qui produisent déjà leur die de 128 Gb un peu plus gros.