Sandisk peut faire payer Samsung

Une décision de justice vient mettre un gros grain de sable dans la belle mécanique Samsung. La cour de New York vient de débouter le fabricant coréen dans la bataille juridique qui l’opposait à MSystems (propriété de Sandisk), pour l’obtention d’une licence d’exploitation de la technologie X4. Éclaircissons un peu cela.

Une technologie révolutionnaire

En juillet 2006, Sandisk a racheté la société MSystems, alors propriétaire d’une technologie prometteuse, X4. Cette technologie permet de réaliser de la mémoire Flash MLC, à non pas 2, ou 3 bits par cellule, mais 4 bits par cellule. À la clé, des mémoires plus denses, et donc moins chères à capacité égale. Du pain béni pour un fabricant comme Sandisk.

Jeu de dupes

Cette technologie avait aussi attiré d’autres gros poissons comme Samsung. Le coréen avait obtenu une licence de la part de MSystems, en échange de la fourniture de puces mémoires à bon prix. Samsung n’a pas respecté ses engagements contractuels en ne livrant pas ses puces en nombre suffisant. Ce qui a conduit MSystems à dénoncer l’accord en avril 2006. C’est alors que Samsung et MSystems sont entrés en conflit juridique, Samsung récusant l’accusation.

Renversement de situation

La décision de la cour de New York n’est donc pas du tout anodine et pourrait avoir d’importantes conséquences. On se souviendra que Samsung a récemment lancé une OPA hostile sur Sandisk, OPA rejetée, car sous-évaluant la société. En réalité, l’OPA fut une tentative de résoudre le différend juridique : Sandisk avait en effet lancé une procédure d’arbitrage du litige le 18 septembre dernier, soit le lendemain de l’annonce de l’OPA. La licence X4 est, à n’en pas douter, un très bon levier pour pousser Samsung à augmenter son offre.

Mais on peut aussi penser que Samsung ne puisse plus utiliser la technologie, Sandisk préférant en laisser la jouissance à d’autres, comme Hynix. Au début de cette année, Sandisk prévoyait de commencer à utiliser X4 au début 2009, lors du passage à des mémoires en 43 nm.