Toshiba, en association avec Sandisk, vient d’annoncer la mise au point de puces de mémoire flashPuce de mémoire qui à la différence de la mémoire vive (DRAM) a la particularité de conserver les données en permanence après leur écriture, même en c... NANDPrincipal type actuel de mémoire flash. La mémoire flash NAND repose sur une technologie mise au point par Toshiba à la fin des années 80. Elle a pris... atteignant des capacités de 8 et 16 Gbits (soit 2 Go). Gravés en 56 nm, les premiers prototypes de puces de 8 Gbits sont sortis des laboratoires de Toshiba dès la fin de l’année dernière. La commercialisation des modèles de 8 Gbits est prévue pour ce mois-ci, la version 16 Gbits devrait arriver pour sa part vers la fin du premier trimestre 2007.

Ces nouvelles puces MLCMulti-Level Cell. Technologie qui permet d’obtenir des puces de mémoire flash NAND de capacité élevée. Dans une puce mémoire classique (Single-Level C... (multi-level cellProcesseur conçu en collaboration par IBM, Sony et Toshiba et dont le principal débouché actuel est la PlayStation 3. Le processeur Cell est un procès...) atteignent des taux de transfert en écriture de l’ordre de 10 Mo/s. Cette augmentation des performances provient bien entendu de la plus grande finesse de gravure, mais également de l’augmentation de la taille des pages mémoires (soit la quantité de données pouvant être écrite en une seule fois), ces dernières passant de 2 112 octets à 4 314 octets. Reste à savoir si l’arrivée sur le marché de ces nouvelles puces permettra également de diminuer les prix des produits à base de mémoire flash…