Toshiba améliore la gravure de la mémoire NAND

Toshiba est pour le moment en train d’augmenter sa production de mémoire NAND gravée en 56 nanomètres. Actuellement, la mémoire NAND est en grande partie produite en technologie 70 nanomètres.

Une production en grande augmentation

La mémoire NAND est de plus en plus utilisée et les constructeurs espèrent une augmentation de la demande avec l’arrivée de l’iPhone (qui embarque 4 ou 8 Go de mémoire). Toshiba, qui comptait passer la moitié de sa production vers le 56 nanomètres avant la fin de l’année a annoncé que ce serait le cas dès septembre 2007.

La mémoire flash NAND se généralise

La mémoire flash NAND est utilisée dans beaucoup d’appareils, et plus seulement pour les cartes mémoires, les clés USB et les baladeurs numériques. Les téléphones portables, les PDA et même les ordinateurs (avec les futurs disques hybrides ou les SSD) ont de gros besoins en mémoire flash. De plus, la vitesse devient un argument important, ce qui nécessite d’utiliser de la mémoire SLC. La SLC (Single Level Cell) stocke un bit par cellule, alors que la MLC (Multi Level Cell) en stocke plusieurs. Le problème, c’est que la SLC, forcément plus onéreuse, est aussi beaucoup plus rapide que la MLC (surtout en écriture).

Les avantages du 56 nm

Les mémoires gravées en 56 nanomètres sont plus denses, un peu plus rapides et surtout consomment moins que les actuelles puces en 70 nanomètres. La NAND 56 nm sera très pratique pour augmenter la vitesse et la capacité des cartes mémoires comme les Micro SD ou les Memory Stick Micro, limitées actuellement par la densité des puces. Avec des puces en 56 nm, on pourra utiliser de la SLC (Single Level Cell), bien plus rapide que la MLC (Multi Level Cell).