Le 20 nm ne sera pas la révolution attendue

Les grands acteurs du monde du semiconducteur se sont réunis pour parler 20 nm et s’entendre sur les technologies à employer. Ils ont, entre autres, unanimement rejeté la lithographie à ultraviolet extrême.

Pas de transistors en 3D ou d’EUV

IBM, Globalfoundries et TSMC ont tous affirmé qu’ils utiliseraient des transistors classiques pour les procédés de fabrication en 22 nm et 20 nm. Concrètement, il n’y aura pas de modèles en 3D utilisant plusieurs grilles (les MuGFET qu’AMD et IBM appellent FinFET, même si ce dernier terme est moins précis).

De même, l’EUV que l’on attendait pour cette finesse de gravure, a été une nouvelle fois repoussé. Comme le laissaient entendre les dernières rumeurs, ce procédé lithographique sera réévalué pour le 15 nm (cf. « L’EUV chez Globalfoundries en 2014 »), même si dans les faits son utilisation reste incertaine (cf. « IBM craint pour l’EUV à 14/15 nm »). Les scanners ont un rendement encore trop faible et ils coûtent aussi beaucoup trop cher pour que cette technologie soit intéressante. Les grandes marques, tels que TSMC ou Samsung, auraient reçu des outils toujours en phase expérimentale de la part d’ASML Holding NV. L'EUV se rapprochent donc néanmoins des usines.

Des avancées minimes

Les transistors en 20 nm utiliseront en principe des interconnexions en cuivre une grille métallique et une couche isolante high-k dont la composition n’a pas été divulguée ainsi qu'un film low-k séparant le transistor de la première couche métallique. Les fondeurs feront aussi appel au double motif et à un laser d’une longueur d’onde de 193 nm. Pour mieux comprendre tous ces termes, nous vous invitons à lire notre dossier « Miniaturisation des transistors et agrandissement des wafers : comprendre les enjeux technologiques ».

Intel est le seul à ne pas avoir donné de détails sur l’architecture de ses transistors en 20 nm. Le fondeur à l’habitude de rester silencieux. Il profite d’une avance technologique confortable qui lui permet de faire bande à part.