Transistor et nanofil par Toshiba
Toshiba vient de développer un transistor 3D pouvant être gravé en 16 nm et utilisant un nanofil de silicium reliant la source et le drain.
Les résultats de ces recherches seront présentés durant un colloque qui se tiendra aujourd’hui à Hawaï. C’est la première fois que l’on arrive à obtenir des performances de l’ordre de 1 mA/µm sous tension, avec ce genre de transistor. L’avantage de cette structure est qu’elle limite grandement les fuites de courant.
La présence de résistances parasites au niveau de la source et du drain ont néanmoins posé un problème aux scientifiques travaillant sur ce transistor. Pour le pallier, Toshiba a optimisé la méthode de fabrication de la grille, sans donner plus de détail à part pour dire que l’épaisseur des parois passe de 30 nm à 10 nm.
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