Des ingénieurs de l’Université de Southampton ont réussi à fabriquer des transistors bipolaires deux fois plus rapides que les transistors actuels. Ces transistors sont utilisés dans les appareils mobiles tels les téléphones, mais aussi dans les solutions sans fil.

Un transistor à 110 GHz

L’École d’Informatique et d’Électronique (ECS) de l’université et STC Microelectronics ont collaboré pour donner naissance à un transistor bipolaire capable de fonctionner à 110 GHz. Pour arriver à ce résultat, ils ont accompagné les classiques transistors bipolaires au silicium d’implants de fluor.

La technique : stopper le bore

La technique utilisée se base sur la technologie actuelle de fabrication et ne devrait donc pas être très difficile à déployer. La fabrication des transistors standard requiert une température élevée, ce qui a tendance à causer la diffusion de bore à la base du transistor, ce qui ralentit le passage des électrons. Le précédent record était détenu par un transistor cadencé à 70 GHz et développé par Philips. Il existe d’autres techniques pour en fabriquer, mais ces dernières mettent en jeu du germanium par exemple. Les transistors silicium-germanium (SiGe) avaient permis à IBM de proposer un transistor cadencé à 500 GHz (voir notre actualité « IBM met au point un transistor ultra rapide »).

Ashburn et son équipe étudient actuellement le comportement du fluor et explorent de nouvelles voies, aidés d’autres matériaux, pour réduire un peu plus la diffusion du bore. Ces performances devraient permettre à l’industrie électronique de proposer des puces plus performantes avec une différence de prix assez faible. Si vous êtes intéressés, vous pouvez consulter le dossier (en Anglais) de l'ECS.