TSMC, Intel : gravures en 32 et 22 nm

Alors que l’industrie des semi-conducteurs doit encore migrer vers la gravure en 45 nm, ses principaux acteurs, tels Intel ou TSMC, développent déjà les prochaines évolutions, les gravures en 32 nm et 22 nm.

Le 32 nm et le 22 nm chez Intel et TSMC

Intel, par la voix de Paolo A. Gargini, directeur des stratégies de technologies, indique ainsi que le développement de la technologie de gravure en 32 nm est « en bonne voie ». Il explique également que la célèbre loi de Moore (qui n’en est pas une) devrait encore pouvoir être vérifiée pendant 10 à 15 ans.

TSMC expérimente également de son côté la gravure en 32 nm. Le fondeur a ainsi déjà conduit quelques tests sur des prototypes. Selon les estimations énoncées lors du International Technology Roadmap for Semiconductors (ITRS) à Taïwan, les produits gravés en 22 nm, l’étape suivante, ne devraient pas apparaître sur le marché avant 2015, au plus tôt.

Quelle technologie de gravure ?

En ce qui concerne la gravure en 32 nm, les industriels sont toujours en train d’hésiter entre l’adoption de la lithographie extrême ultraviolet (EUV), l’utilisation de scanners à 157 nm et la lithographie d’immersion à 193 nm (193i), l’avantage de cette dernière étant de pouvoir augmenter la profondeur de foyer sans changer l’ouverture numérique de l’objectif.

Ainsi, si la lithographie utilisant des scanners secs à 193 nm permet d’obtenir une profondeur de foyer d’environ 180 nm, un outil d’immersion doté d’un objectif avec une ouverture numérique identique de 0,85 permet d’obtenir une profondeur de foyer d’environ 380 nm. De quoi améliorer les conditions de traitement et limiter l’incidence des aberrations d’objectif ou les problèmes liés à la planéité des wafers.

L’utilisation d’objectifs catadioptriques (associant l’optique réfractive et l’optique réflexive) et de liquides dotés d’un indice de réfraction au régime 1,6 (contre 1,43 pour l’eau épurée) pourraient permettre d’augmenter l’ouverture numérique à 1,6, ce qui permettrait à la lithographie d’immersion à 193 nm de passer dans le domaine du 22 nm…