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256mb reconnu alors qu'il y a 768mb installé

Anteus62 Matériel : Le_Cid_97425, nosfegar, jackinfor Réseaux : Matzik, 1 utilisateur anonyme et 210 utilisateurs inconnus
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 Sujet : 256mb reconnu alors qu'il y a 768mb installé
 
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Bonsoir à tous,
 
j'ai installé 2 barrettes de 256mb supplémentaires pour avoir en tout 3x256mb.
Mais il n'y a que 256mb de reconnu...je les ai essayées une à une sur le DIMM1 et chacune fonctionne. D'ailleurs dans everest elles apparaissent toutes les 3, voyez:
 
 
Résumé  
 
--------------------------------------------------------------------------------
 
       
  Ordinateur:  
   Système d'exploitation   Microsoft Windows XP Professional  
   Service Pack du système   Service Pack 2  
   DirectX   4.09.00.0904 (DirectX 9.0c)  
   Nom du système   JOHN_F (Chambre)  
   Nom de l'utilisateur   John  
   
  Carte mère:  
   Type de processeur   AMD Athlon, 1100 MHz (11 x 100)  
   Nom de la carte mère   ECS K7VTA3 v1 (5 PCI, 1 AGP, 1 CNR, 3 DDR DIMM, Audio)  
   Chipset de la carte mère   VIA VT8366 Apollo KT266  
   Mémoire système   256 Mo (PC2100 DDR SDRAM)  
   Type de BIOS   Award Modular (07/19/01)  
   Port de communication   Port de communication (COM1)  
   Port de communication   Port de communication (COM2)  
   Port de communication   Port imprimante ECP (LPT1)  
   
  Moniteur:  
   Carte vidéo   Matrox Graphics Millennium G200 AGP (16 Mo)  
   Accélérateur 3D   Matrox G200A  
   Moniteur   Packard Bell A720 (10194854)  
   
  Multimédia:  
   Carte audio   VIA AC'97 Enhanced Audio Controller  
   
  Stockage:  
   Contrôleur IDE   Contrôleur IDE Bus Master VIA  
   Disque dur   FUJITSU MPC3064AT (6 Go, 5400 RPM, Ultra-ATA/33)  
   Disque dur   Maxtor 6Y060L0 (60 Go, 7200 RPM, Ultra-ATA/133)  
   Lecteur optique   CREATIVE DVD-ROM DVD6240E (6x/24x DVD-ROM)  
   Lecteur optique   HP DVD Writer 300n (DVD:4x/2.4x/8x, CD:16x/10x/40x DVD+RW)  
   État des disques durs SMART   FAIL  
   
  Partitions:  
   C: (NTFS)   6142 Mo (2587 Mo libre)  
   D: (NTFS)   58635 Mo (11301 Mo libre)  
   Taille totale   63.3 Go (13.6 Go libre)  
   
  Entrée:  
   Clavier   Clavier standard 101/102 touches ou clavier Microsoft Natural Keyboard PS/2  
   Souris   Souris compatible PS/2  
   
  Réseau:  
   Carte réseau   D-Link AirPlus G DWL-G122 Wireless USB Adapter(rev.C) (192.168.0.132)  
   
  Périphériques:  
   Imprimante   \\BOSS-10\Lexmark 1200 Series  
   Imprimante   HP DeskJet 695C  
   Contrôleur USB1   AT&T/Lucent USB Open Host Controller  
   Contrôleur USB1   VIA VT83C572 PCI-USB Controller  
   Contrôleur USB1   VIA VT83C572 PCI-USB Controller  
   Contrôleur USB1   VIA VT83C572 PCI-USB Controller  
   Périphérique USB   D-Link AirPlus G DWL-G122 Wireless USB Adapter(rev.C)  
 
 
Mémoire  
 
--------------------------------------------------------------------------------
 
       
  Mémoire physique:  
   Total   255 Mo  
   Utilisé   219 Mo  
   Disponible   36 Mo  
   Utilisation   86 %  
   
  Zone de swap:  
   Total   1000 Mo  
   Utilisé   168 Mo  
   Disponible   832 Mo  
   Utilisation   17 %  
   
  Mémoire virtuelle:  
   Total   1256 Mo  
   Utilisé   387 Mo  
   Disponible   868 Mo  
   Utilisation   31 %  
   
  Physical Address Extension (PAE):  
   Supporté par le système d'exploitation   Oui  
   Supporté par le processeur   Oui  
   Active   Non  
   
  Problèmes et suggestions:  
   Suggestion   Installez davantage de mémoire système pour améliorer les performances des applications.  
 
 
SPD  
 
--------------------------------------------------------------------------------
 
       
 [ DIMM1: Samsung M3 12L3223ETS-CB0 ]  
   
  Propriétés du module mémoire:  
   Nom du module   Samsung M3 12L3223ETS-CB0  
   Numéro de série   450242A0h  
   Taille du module   256 Mo (1 rank, 4 banks)  
   Type du module   Registered  
   Type de mémoire   DDR SDRAM  
   Vitesse de mémoire   PC2100 (133 MHz)  
   Largeur du module   72 bit  
   Voltage du module   SSTL 2.5  
   Méthode de détection d'erreurs   ECC  
   Taux de rafraîchissement   Réduit (7.8 us), Self-Refresh  
   
  Performances mémoire:  
   @ 133 MHz   2.5-3-3-6 (CL-RCD-RP-RAS)  
   @ 100 MHz   2.0-2-2-5 (CL-RCD-RP-RAS)  
   
  Fonctionnalités du module mémoire:  
   Early RAS# Precharge   Non géré  
   Auto-Precharge   Non géré  
   Precharge All   Non géré  
   Write1/Read Burst   Non géré  
   Buffered Address/Control Inputs   Non géré  
   Registered Address/Control Inputs   Géré  
   On-Card PLL (Clock)   Géré  
   Buffered DQMB Inputs   Non géré  
   Registered DQMB Inputs   Non géré  
   Differential Clock Input   Géré  
   Redundant Row Address   Non géré  
   
  Fabricant du module mémoire:  
   Nom de l'entreprise   Samsung  
   Information sur le produit   http://www.samsung.com/Products/Se [...] /index.htm  
   
 [ DIMM2: Samsung M3 12L3223ETS-CB0 ]  
   
  Propriétés du module mémoire:  
   Nom du module   Samsung M3 12L3223ETS-CB0  
   Numéro de série   450F4203h  
   Taille du module   256 Mo (1 rank, 4 banks)  
   Type du module   Registered  
   Type de mémoire   DDR SDRAM  
   Vitesse de mémoire   PC2100 (133 MHz)  
   Largeur du module   72 bit  
   Voltage du module   SSTL 2.5  
   Méthode de détection d'erreurs   ECC  
   EVEREST Home Edition © 2003-2005 Lavalys, Inc.  
 
--------------------------------------------------------------------------------
 
     
  Version   EVEREST v2.20.405/fr  
  Site web   http://www.lavalys.com/  
  Type de rapport   Générateur de rapports  
  Ordinateur   JOHN_F (Chambre)  
  Générateur   John  
  Système d'exploitation   Microsoft Windows XP Professional 5.1.2600 (WinXP Retail)  
  Date   2008-02-25  
  Heure   21:13  
 
 
Résumé  
 
--------------------------------------------------------------------------------
 
       
  Ordinateur:  
   Système d'exploitation   Microsoft Windows XP Professional  
   Service Pack du système   Service Pack 2  
   DirectX   4.09.00.0904 (DirectX 9.0c)  
   Nom du système   JOHN_F (Chambre)  
   Nom de l'utilisateur   John  
   
  Carte mère:  
   Type de processeur   AMD Athlon, 1100 MHz (11 x 100)  
   Nom de la carte mère   ECS K7VTA3 v1 (5 PCI, 1 AGP, 1 CNR, 3 DDR DIMM, Audio)  
   Chipset de la carte mère   VIA VT8366 Apollo KT266  
   Mémoire système   256 Mo (PC2100 DDR SDRAM)  
   Type de BIOS   Award Modular (07/19/01)  
   Port de communication   Port de communication (COM1)  
   Port de communication   Port de communication (COM2)  
   Port de communication   Port imprimante ECP (LPT1)  
   
  Moniteur:  
   Carte vidéo   Matrox Graphics Millennium G200 AGP (16 Mo)  
   Accélérateur 3D   Matrox G200A  
   Moniteur   Packard Bell A720 (10194854)  
   
  Multimédia:  
   Carte audio   VIA AC'97 Enhanced Audio Controller  
   
  Stockage:  
   Contrôleur IDE   Contrôleur IDE Bus Master VIA  
   Disque dur   FUJITSU MPC3064AT (6 Go, 5400 RPM, Ultra-ATA/33)  
   Disque dur   Maxtor 6Y060L0 (60 Go, 7200 RPM, Ultra-ATA/133)  
   Lecteur optique   CREATIVE DVD-ROM DVD6240E (6x/24x DVD-ROM)  
   Lecteur optique   HP DVD Writer 300n (DVD:4x/2.4x/8x, CD:16x/10x/40x DVD+RW)  
   État des disques durs SMART   FAIL  
   
  Partitions:  
   C: (NTFS)   6142 Mo (2587 Mo libre)  
   D: (NTFS)   58635 Mo (11301 Mo libre)  
   Taille totale   63.3 Go (13.6 Go libre)  
   
  Entrée:  
   Clavier   Clavier standard 101/102 touches ou clavier Microsoft Natural Keyboard PS/2  
   Souris   Souris compatible PS/2  
   
  Réseau:  
   Carte réseau   D-Link AirPlus G DWL-G122 Wireless USB Adapter(rev.C) (192.168.0.132)  
   
  Périphériques:  
   Imprimante   \\BOSS-10\Lexmark 1200 Series  
   Imprimante   HP DeskJet 695C  
   Contrôleur USB1   AT&T/Lucent USB Open Host Controller  
   Contrôleur USB1   VIA VT83C572 PCI-USB Controller  
   Contrôleur USB1   VIA VT83C572 PCI-USB Controller  
   Contrôleur USB1   VIA VT83C572 PCI-USB Controller  
   Périphérique USB   D-Link AirPlus G DWL-G122 Wireless USB Adapter(rev.C)  
 
 
Mémoire  
 
--------------------------------------------------------------------------------
 
       
  Mémoire physique:  
   Total   255 Mo  
   Utilisé   219 Mo  
   Disponible   36 Mo  
   Utilisation   86 %  
   
  Zone de swap:  
   Total   1000 Mo  
   Utilisé   168 Mo  
   Disponible   832 Mo  
   Utilisation   17 %  
   
  Mémoire virtuelle:  
   Total   1256 Mo  
   Utilisé   387 Mo  
   Disponible   868 Mo  
   Utilisation   31 %  
   
  Physical Address Extension (PAE):  
   Supporté par le système d'exploitation   Oui  
   Supporté par le processeur   Oui  
   Active   Non  
   
  Problèmes et suggestions:  
   Suggestion   Installez davantage de mémoire système pour améliorer les performances des applications.  
 
 
SPD  
 
--------------------------------------------------------------------------------
 
       
 [ DIMM1: Samsung M3 12L3223ETS-CB0 ]  
   
  Propriétés du module mémoire:  
   Nom du module   Samsung M3 12L3223ETS-CB0  
   Numéro de série   450242A0h  
   Taille du module   256 Mo (1 rank, 4 banks)  
   Type du module   Registered  
   Type de mémoire   DDR SDRAM  
   Vitesse de mémoire   PC2100 (133 MHz)  
   Largeur du module   72 bit  
   Voltage du module   SSTL 2.5  
   Méthode de détection d'erreurs   ECC  
   Taux de rafraîchissement   Réduit (7.8 us), Self-Refresh  
   
  Performances mémoire:  
   @ 133 MHz   2.5-3-3-6 (CL-RCD-RP-RAS)  
   @ 100 MHz   2.0-2-2-5 (CL-RCD-RP-RAS)  
   
  Fonctionnalités du module mémoire:  
   Early RAS# Precharge   Non géré  
   Auto-Precharge   Non géré  
   Precharge All   Non géré  
   Write1/Read Burst   Non géré  
   Buffered Address/Control Inputs   Non géré  
   Registered Address/Control Inputs   Géré  
   On-Card PLL (Clock)   Géré  
   Buffered DQMB Inputs   Non géré  
   Registered DQMB Inputs   Non géré  
   Differential Clock Input   Géré  
   Redundant Row Address   Non géré  
   
  Fabricant du module mémoire:  
   Nom de l'entreprise   Samsung  
   Information sur le produit   http://www.samsung.com/Products/Se [...] /index.htm  
   
 [ DIMM2: Samsung M3 12L3223ETS-CB0 ]  
   
  Propriétés du module mémoire:  
   Nom du module   Samsung M3 12L3223ETS-CB0  
   Numéro de série   450F4203h  
   Taille du module   256 Mo (1 rank, 4 banks)  
   Type du module   Registered  
   Type de mémoire   DDR SDRAM  
   Vitesse de mémoire   PC2100 (133 MHz)  
   Largeur du module   72 bit  
   Voltage du module   SSTL 2.5  
   Méthode de détection d'erreurs   ECC  
   Taux de rafraîchissement   Réduit (7.8 us), Self-Refresh  
   
  Performances mémoire:  
   @ 133 MHz   2.5-3-3-6 (CL-RCD-RP-RAS)  
   @ 100 MHz   2.0-2-2-5 (CL-RCD-RP-RAS)  
   
  Fonctionnalités du module mémoire:  
   Early RAS# Precharge   Non géré  
   Auto-Precharge   Non géré  
   Precharge All   Non géré  
   Write1/Read Burst   Non géré  
   Buffered Address/Control Inputs   Non géré  
   Registered Address/Control Inputs   Géré  
   On-Card PLL (Clock)   Géré  
   Buffered DQMB Inputs   Non géré  
   Registered DQMB Inputs   Non géré  
   Differential Clock Input   Géré  
   Redundant Row Address   Non géré  
   
  Fabricant du module mémoire:  
   Nom de l'entreprise   Samsung  
   Information sur le produit   http://www.samsung.com/Products/Se [...] /index.htm  
   
 [ DIMM3: Micron Tech. (256 Mo PC2100 DDR SDRAM) ]  
   
  Propriétés du module mémoire:  
   Nom du module   Micron Tech.  
   Numéro de série   Aucun(e)  
   Date de fabrication   Semaine 30 / 2002  
   Taille du module   256 Mo (2 ranks, 4 banks)  
   Type du module   Unbuffered  
   Type de mémoire   DDR SDRAM  
   Vitesse de mémoire   PC2100 (133 MHz)  
   Largeur du module   64 bit  
   Voltage du module   SSTL 2.5  
   Méthode de détection d'erreurs   Aucun(e)  
   Taux de rafraîchissement   Normal (15.625 us), Self-Refresh  
   
  Performances mémoire:  
   @ 133 MHz   2.5-3-3-6 (CL-RCD-RP-RAS)  
   
  Fonctionnalités du module mémoire:  
   Early RAS# Precharge   Non géré  
   Auto-Precharge   Non géré  
   Precharge All   Non géré  
   Write1/Read Burst   Non géré  
   Buffered Address/Control Inputs   Non géré  
   Registered Address/Control Inputs   Non géré  
   On-Card PLL (Clock)   Non géré  
   Buffered DQMB Inputs   Non géré  
   Registered DQMB Inputs   Non géré  
   Differential Clock Input   Géré  
   Redundant Row Address   Non géré  
   
  Fabricant du module mémoire:  
   Nom de l'entreprise   Micron Technology, Inc.  
   Information sur le produit   http://www.micron.com/products/category.jsp?path=/DRAM  
 
 Réduit (7.8 us), Self-Refresh  
   
  Performances mémoire:  
   @ 133 MHz   2.5-3-3-6 (CL-RCD-RP-RAS)  
   @ 100 MHz   2.0-2-2-5 (CL-RCD-RP-RAS)  
   
  Fonctionnalités du module mémoire:  
   Early RAS# Precharge   Non géré  
   Auto-Precharge   Non géré  
   Precharge All   Non géré  
   Write1/Read Burst   Non géré  
   Buffered Address/Control Inputs   Non géré  
   Registered Address/Control Inputs   Géré  
   On-Card PLL (Clock)   Géré  
   Buffered DQMB Inputs   Non géré  
   Registered DQMB Inputs   Non géré  
   Differential Clock Input   Géré  
   Redundant Row Address   Non géré  
   
  Fabricant du module mémoire:  
   Nom de l'entreprise   Samsung  
   Information sur le produit   http://www.samsung.com/Products/Se [...] /index.htm  
   
 [ DIMM3: Micron Tech. (256 Mo PC2100 DDR SDRAM) ]  
   
  Propriétés du module mémoire:  
   Nom du module   Micron Tech.  
   Numéro de série   Aucun(e)  
   Date de fabrication   Semaine 30 / 2002  
   Taille du module   256 Mo (2 ranks, 4 banks)  
   Type du module   Unbuffered  
   Type de mémoire   DDR SDRAM  
   Vitesse de mémoire   PC2100 (133 MHz)  
   Largeur du module   64 bit  
   Voltage du module   SSTL 2.5  
   Méthode de détection d'erreurs   Aucun(e)  
   Taux de rafraîchissement   Normal (15.625 us), Self-Refresh  
   
  Performances mémoire:  
   @ 133 MHz   2.5-3-3-6 (CL-RCD-RP-RAS)  
   
  Fonctionnalités du module mémoire:  
   Early RAS# Precharge   Non géré  
   Auto-Precharge   Non géré  
   Precharge All   Non géré  
   Write1/Read Burst   Non géré  
   Buffered Address/Control Inputs   Non géré  
   Registered Address/Control Inputs   Non géré  
   On-Card PLL (Clock)   Non géré  
   Buffered DQMB Inputs   Non géré  
   Registered DQMB Inputs   Non géré  
   Differential Clock Input   Géré  
   Redundant Row Address   Non géré  
   
  Fabricant du module mémoire:  
   Nom de l'entreprise   Micron Technology, Inc.  
   Information sur le produit   http://www.micron.com/products/category.jsp?path=/DRAM  
 
Sachez que les barrettes que j'ai rajouté sont ECC mais apparemment ce n'est pas le problème vu que l'ordi fonctionne lorsque je ne mets qu'une seule barrette ECC.
Par ailleurs, j'ai remarqué que le taux de rafraichissement des barrettes ECC est différent de la non ECC, est-ce normal?
 
Merci d'avance pour votre aide
 
 
 
 

85x85 : le comble du ridicule :o
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sinon j'ai 2x1Go pc2700 kingston qui n'ont servi que 2 mois. elles sont neuves et fonctionnelles. 70€ fdpin ;)


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GLOIRE A :o | Trompi PPC-IDN
n00b intergalactique invincible :o
MEMBRE DU GROUPUSCULE DES AVATARS EN COLERE [:dartyduck:6]
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J'vois pas en quoi ça m'aiderait de te racheter les barrettes, le même problème se poserait! Celles que j'ai rachetées fonctionnent vu que mon pc tourne pour l'instant avec une des 2 nouvelles barrettes samsung...
 
Personne pour m'aider???
 
 
 

Ce n'est pas parce qu'il est éteint qu'un PC ne fo
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Slt,
Ca ne vient pas du fait que tes barrettes sont ecc. Est ce que quand tu a testé tes barrettes une à une, tu les a testés sur plusieurs slots ram différents?

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Slt,
On dirait que ma CM n'accepte pas de mélanger ECC et non-ECC...
256mb etaient reconnu lorsque la barrette non-ECC était dans le slot1 et les deux autres (ECC) étaient dans les slots 2 et 3 tandis que 512mb sont reconnus si je mets une barrette ECC dans le slot1 et les 2 autres dans les slots 2 et 3 (soit l'autre ECC dans le slot 2 et la non-ECC dans le slot3, soit l'inverse)
Chacune de barrettes fonctionne seule dans le slot1 mais il y a un "bip bip"lorsque je les teste une à une sur le slot2 ou 3.
Pour l'instant, je tourne avec les 2 barrettes ECC dans les slots 1 et 2...moi qui n'avait que 256mb à la base (donc la barrette de 256mb non-ECC) et qui voulait me retrouver avec 768MB avec les nouvelles barrettes (ECC), je suis déçu! Surtout qu'il paraît que les barretes ECC sont moins rapides!
 
 


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