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IBM 32 nm et grille High-K

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 Sujet : IBM 32 nm et grille High-K
 
"Ignorance is bliss" (Cypher, The Matrix)
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IBM vient d’annoncer qu’il utiliserait de nouvelles grilles pour ses transistors au moment de son passage à la gravure en 32 nm. Le fondeur affirme obtenir de meilleures performances et une consommation réduite.

 


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Le high-k remplacerait le strained silicon? (procédé smartcut de soitec)
Merci de me confirmer.

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Je ne suis pas sûr que l'on puisse dire Qu'IBM a un train de retard ; parcequ'ils n'utilisent pas d'Hafnium sur leurs procédé 45nm ( IBM produit le Cell en 45nm: http://www.nordichardware.com/news,7323.html )

 

étant donné que ce ne sont pas les mêmes techniques de gravure:

 

-Intel n'a pas changé sa technique de lithographie pour le 45nm par contre utilise de l'hafnium et devront passer à l'ultraviolet extrême pour le 32nm

 

-IBM utilise le SOI (pas Intel) et est passé à la lithographie par immersion pour le 45nm et ne changeront pas de technique de lithographie pour le 32nm mais utiliseront alors l'Hafnium ( http://www.lemondeinformatique.fr/ [...] 22212.html )

 

Enfin , quand on compare les fleuronts de la production des deux fondeurs :

 

-C2Q(sortie tout récemment); 1,3Volts 3,2Ghz 820 millions de transistors en 45nm
-Futur Itanium(sortie en fin d'année) Voltage ? 2Ghz 2 milliards de transistors en 65nm

 

Chez IBM:
-POWER6(sortie en mai 2007) 1,2Volts 4,7Ghz 790millions de transistors en 65nm
-Z10(sortie tout récemment) voltage ? 4,4Ghz 1 milliards de transistors en 65nm

    

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http://www.lemondeinformatique.fr/ [...] 22212.html

 

http://www.nordichardware.com/news,7323.html

 

Lorsqu'intel devra passer à l'ultraviolet extrême pour le 32nm; IBM n'aura pas besoin de changer de lithographie mais utilisera .... l'Hafnium !

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Voici une liste plus complète des compagnies qui font parti de l'Alliance: PHOTO
 
1. Le SOI sera utilisé jusqu'au 22nm.
2. Soitec ne fabrique pas de silicium, il utilise des galettes fournies par d'autres industriels et y ajoute une couche d'alumine.
3. Ce n'est pas de l'hafnium qui est utilisé pour isoler les couches entre elles, c'est plus précisément du Hafnium Silicon Oxynitride (HfSiON).
4. Quant au Strained Silicon, on devrait plutôt dire: Strained Silicon Germanium (SiGe).
 
Il serait aussi bon de rappeler que le principal brevet exploité par Soitec ne concerne pas le silicium, la silice, le germanium ou le hafnium, mais le procédé de transfert d'une couche isolante sur un substrat de silicium.

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Bon on verra bien mais dans le genre "IBM a un train de retard" ; IBM vient d'annoncer vouloir produire en 32 nm à la fin de l'année c'est à dire avant Intel ...

 

bien sûr ça ne reste qu'une annonce.


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