(Magnetoresistive RAM) Mémoire non volatile développée depuis les années 1990 constituée de charges magnétiques et non électriques. Chaque cellule contient deux éléments ferromagnétiques, chacun pouvant retenir un champ magnétique. L’élément inférieur est dit fixe, car son état reste permanent et sa polarité spécifique tandis que celui qui se trouve en haut de la cellule est libre, car il change d’état en fonction du champ extérieur.

La MRAM (Magnetoresistive RAM) est une mémoire non volatile développée depuis les années 1990. Contrairement aux RAM traditionnelles, les données ne sont pas constituées de charges électriques, mais magnétiques.

Pour faire simple, la lecture des données s’effectue en mesurant la résistance électrique d’une cellule. Si la résistance est faible, on prendra cela pour un 0 tandis que si la résistance est plus grande on considéra que la valeur sera 1. Pour plus de détails, nous vous invitons à consulter notre dossier d’actualité « Retour sur le futur des mémoires ».

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