(Zero-capacitor RAM) Créée par Innovative Silicon, elle tire parti d’un phénomène que l’on a constaté sur les design CPU fabriqués à l’aide de la technologie SOI (placage d’une couche d’oxyde entre deux couches de silicium afin de réduire les courants de fuites). Néanmoins, elle engendre un effet que l’on appelle « l’effet des corps flottants », caractérisé par la présence d’une capacité électrique entre le transistor et le substrat isolant. Elle devrait être utilisée en tant que mémoire cache en lieu et place de la SRAM sur les prochains processeurs AMD.

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